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SOI基光耦合器研究进展.doc
SOI基光耦合器研究进展
第37卷第1期
2007年1月
激光与红外
IASERamp;INFRARED
Vo1.37.No.1
January,2007
文章编号:1001-5078(2007)01-0018-04
SOI基光耦合器研究进展
刘艳,余金中
(中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京100083)
摘要:文章综述了国内外光耦合器的最新研究进展,着重介绍了目前耦合效率最高(55%),且
与偏振无关的双光栅辅助定向耦合器的工艺流程,结构性能以及进一步提高耦合效率的可行性.
关键词:耦合器;双光栅辅助定向耦合器;耦合效率
中图分类号:TN622.2文献标识码:A
TheProgressofSilicon-on-insulatorCouplers
LIUYah.YUJin-zhong
(StateKeyLaboratoryonIntegeratedOptoelectronics,InstituteofSemiconductors,
CMn~eAcademyofSciences,Beijing100083,China)
Abs:Illthisp印erthelatestprogressofopticalcouplersisreviewed.Theemphasisisplacedonthefabrication,
structuresofthemostefficient(55%)dualgrating-assisteddirectionalcouplerandthepossibilityoffurtherimproving
thecouplingefficiency.
Keywords:coupler;dualgrating-assisteddirectionalcoupler;couplingefficiency
1引言
20世纪6o年代以来,光电子集成(OEIC)获得
了长足的发展.集成电路发展的主流趋势就是集成
系统的小型化.在用于通信波段的众多波导材料
中,SOI(silicononinsulator)材料以其无与伦比的成
本优势,工艺成熟性,与IC工艺兼容等优点,使之成
为最有竞争力的实现光学集成和光电子集成的候选
材料之一.
然而,长期以来,SOI亚微米波导没有大规模地
应用于实际通信系统.这是由于波导中的模斑尺寸
小于1ttm,而光纤中的模斑尺寸为8一lOl~m,光从
光纤进入这种小尺寸的波导经常会带来很大的损
耗,其原因在于二者之间模斑尺寸以及有效折射率
的失配,这将导致辐射模以及背反射的出现.所以
在集成光电子学领域,两者之间的耦合问题是一个
长期具有挑战性的课题.目前在Ⅲ一V族材料中,
已经报道了运用楔形耦合器把光从单模光纤耦
合进波导,并且获得了较高的耦合效率.硅基SOI
波导的耦合问题也逐渐引起了研究者的兴趣.
2不同结构的硅基SOI耦合器
基于以上损耗的分析,为了降低光纤和波导之
间的模式失配和折射率失配,研究人员已经提出了
许多耦合方法,如楔形模斑转换器(spotsize
converter),反向楔形耦合器J,棱镜耦合J,透镜耦
合],光栅耦合nn等.
2.1正向楔形模斑转换器
在集成电路中,通常用楔形结构作为模斑转换
器来跟外界的元件连接.楔形模斑转换器的功能就
是把光纤中的模式转化为波导中的模式,通常有正
向和反向两种楔形结构.正向楔形结构是最直观的
一
种结构,与光纤连接的一端扩展为光纤尺寸大小,
基金项目:国家自然科学基金(603360l0);973项目
(G20o0o366);863项目(2002AA312060)资助.
作者简介:刘艳(1979一),女,2004年至今就读于中科院半导
体所集成光电子国家重点实验室,光电子专业,现从事SOI基光耦合
器的研究.E-mail:liuyan@red.semi.ac.cn
收稿日期:2006-06-23;修订日期:2006-07-12
激光与红外No.12007刘艳余金中SO!基光耦合器研究进展19
与波导连接的一端拉成楔形.正向模斑转换器从外
形上可以区分为三类:仅在水平面上作楔形变换的
模斑转换器在垂直面上的做楔形变换的模斑转
换器以及水平和垂直两个方向同时变化的模斑
转换器.Delaware大道了用灰度掩膜制造更
加有效的三维绝热的楔形耦合器J,如图1所示.
受抗蚀膜的分辨能力的局限,耦合器垂直方向上为
楔形,所以这种耦合器不能实现水平方向的模斑变
换.这种楔形耦合器虽然制作工艺相对复杂,但其
非常适合高密集单片集成,而且,这种楔形耦合器的
衬底还能进一步用于制作其他OIC元件.由于制
作足够光滑的表面相对困难,损耗主要来源于表面
粗糙带来的散射,同样楔形结构需要一个抗反射的
包层来降低强烈的表面背反射,给制作带来麻烦.
而
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