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SiGe HBT ^60Coγ射线辐照效应及退火特性 第27卷第9期 2006年9月 半导体 CHINESEJOURNALOFSEMIC0NDUCTORS VOI.27NO.9 Sep.,2006 SiGeHBT仰Co丫射线辐照效应及退火特性 牛振红2郭旗任迪远刘月4高嵩 (1中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011) (2中国科学院研究生院,北京100039) 摘要:研究了国产SiGe异质结双极晶体管(HBT).co.y射线100Gy(Si)~10kGy(Si)总剂量辐照后的辐照效应 及辐照后的退火特性.测试了辐照及退火后的直流电参数.实验结果显示,辐照后基极电流(,)明显增大,而集电 极电流(,)基本不变,表明,的增加是电流增益退化的主要原因.退火结果表现为电流增益(口=,/1)继续衰降, 表明SiGeHBT具有后损伤效应.对其机理进行了探讨,结果表明其主要原因是室温退火中界面态继续增长引 起的. 关键词:SiGe异质结双极晶体管;电离辐射;退火;后损伤效应 PACC:6180EEEACC:2560J 中图分类号:TN323.4文献标识码:A文章编号:0253—4177(2006)09—1608—04 1引言 早在20世纪50年代,Kroemer就提出了采用 宽禁带材料作发射区的HBT技术可大幅度提高晶 体管的频率性能__】].但由于受材料制备及器件工艺 的限制,一直未做出性能良好的HBT.直到1987 年,IBM的Iyer制造了第一只有器件性能的SiGe HBT,此后SiGe技术异军突起,发展迅速.由于 SiGeHBT具有高频,高电流增益,低温特性好等诸 多优点且具有Si基器件的低成本,应用极为广 泛_3.因此,SiGe材料和器件的研究已经成为半导 体研究的热点之一. SiGeHBT的优点使其具有良好的空间应用前 景,而空间辐射环境又要求电子元器件具有较好的 抗辐射性能,所以研究SiGeHBT的辐射效应,辐射 损伤机理,抗辐射能力评估方法和抗辐射加固技术 是十分必要的.国外已经开展了一些这方面的研究, 而国内相关报道极少.为促进国产SiGeHBT技术 的发展及其在航天领域的应用,此文研究了国产 SiGeHBT..Co7射线辐照效应及退火特性,探讨 了其损伤机理. 2实验 实验样品为国产npn型SiGeHBT,其结构示 意图如图1所示.辐照实验在中国科学院新疆理化 技术研究所..Co7辐射源完成.辐照剂量率为 十通信作者.Email:niuzhenhong@126.corn 2006—02—27收到,2006—04—26定稿 1.65Gy(Si)/s,分别在100,200,500,1000,2000, 5000,10000Gy(Si)总剂量辐照后测量了其电参数, 包括集电极电流J,基极电流,电流增益卢.测试 仪器为HP.4142B(电压电流源/表),HP.16088B(测 试盒)和ICS分析系统.每次测试均在20min内完 成. Emitter p—SiGe—__J n 图1SiGeHBT结构示意图 Fig.1StructureofSiGeHBT 退火试验是在室温搁置浮空状态下进行的,退 火总时间为188h. 3结果 研究了SiGeHBT辐照和退火后直流参数的变 化情况.和常规SiBJT一样,电流增益是SiGeHBT 最重要且对电离辐射最敏感的参数.图2给出了 SiGeHBT电流增益口在不同总剂量辐照后和辐照 结束后退火188h随的变化关系.图3和图4为 ,和电流增益随总剂量和退火时间的变化关 ⑥2006中国电子学会 第9期牛振红等:SiGeHBT.Co7射线辐照效应及退火特性 系.从图2可以看出,随辐照总剂量增加,电流增益 明显下降,更为引人注意的是经过188h室温浮空 退火后电流增益在继续衰降,表明SiGeHBT具有 后损伤效应. 图2SiGeHBT辐照和退火后电流增益随J的变化 Fig.2CurrentgainasafunctionofIforSiGeHBT afterirradiationandannealing +Iblp.m/Ibk- +,L(【l/,c(): .25℃ , Dose/Gy(Si)Time/min 图3SiGeHBT1b和,随辐照总剂量和退火时间的变化关 系 Fig.3IbandIforSiGeHBTversustotaldoseand annealingtime 1-O 0.8 一 墨0.6 O?4 0.2 :一25℃ ,l. ,. ._7 一 .. ,I, . = O.7V.. —-.^ . .-I● Dose/Gy(Si)Time/rain 图4SiGeHBT电流增益随辐照总剂量和退火时间的变化关 系 Fig.4CurrentgainforSiGeHBTversustotaldo