热氧化原理下.ppt

集成电路工艺原理 仇志军 zjqiu@fudan.edu.cn 邯郸校区物理楼435室 Qit和下列因素有关：氧化温度，氧化气氛（湿氧、干氧），晶向等 Qit和干氧氧化温度的关系1）Qit 随温度升高而降低； 2）干氧Qit高于湿氧3）在能带中间部分， Qit(100)比Qit(111)低约5倍 降低Qit的方法低温金属化后退火（PMA） （low temperature post-metallization anneal)在H2或H2－N2（Forming Gas Annealing, FGA）中350－500 ?C退火30分钟 退火前，Qit约1011 cm-2eV-1 退火后，Qit约1010 cm-2eV-1 - 可应用 3、可动离子电荷，Qm（mobile ionic charge） 二氧化硅质量的检验 一、氧化膜的缺陷检查 1、氧化膜针孔的检测 EPW（邻苯二酚－乙二胺－水腐蚀法） 阳极氧化法 氯气腐蚀法 MOS 二极管法 2、氧化导致的层错的检测（OISF：Oxidation induced stacking faults) 氧化后，用HF去除SiO2, 用Sirtl溶液腐蚀 Sirtl溶液：100ml H2O + 50 g Cr2O3 +75 ml HF 3、氧化膜中钠离子含量测定（在后面电学测量中讲到） 厚度测量 机械法 比色法 椭偏法 光干涉法 C-V测量 2、比色法 3、光干涉法（Interferometry） 由光的相干原理，膜表面与界面反射二束光相干涉。由光学原理，两束光的光程差为入射光的波长整数倍时出现加强的亮度 4、椭偏法（Ellipsometry） 椭偏法是一种非常精确、非常灵活的测试方法 厚度测量: 测量结果给出周期性的厚度结果 需要知道薄膜的一些性质 多种波长测量 厚度和折射率（refractive index）： 可以决定不同材料的厚度及折射率 多层薄膜： 可以用多波长和多角度来决定多层薄膜的厚度 观察衬底腐蚀情况 观察衬底染色情况 OISF – Oxidation Induced Stacking Fault 氧化时产生大量的间隙原子。这些点缺陷易于聚集为大的2D 缺陷——层错。层错位于界面，成为重金属的吸杂中心，导致器件漏电。高压氧化（低温）和掺氯氧化，均有利于抑制OISF。 Stylus 1、机械法 二氧化硅质量的检验 台阶仪-profilometer n：二氧化硅折射率 ?：入射光波长 如? =589.6 nm m：干涉级数 垂直入射时: 单色光经过起偏器变成偏振光，再经1/4波片变成椭圆偏振光，照射样品，再经过膜的反射、检偏后进入光电管。 两个相互垂直的偏振光的分量的振幅与相位变化是与膜厚度及折射率有关，查图表（软件自动计算）可得到厚度。 INFO130024.02 集成电路工艺原理 第五章 热氧化原理 (下) 大纲 第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 热氧化 第六章 热扩散 第七章 离子注入 第八章 薄膜淀积 第九章 刻蚀 第十章 后端工艺与集成 第十一章 未来趋势与挑战 D－G模型 ?氧化速率为 上节课主要内容 压强、晶向、掺杂和掺氯对氧化速率的影响 掺有杂质的硅在热氧化过程中，靠近界面的硅中杂质，将在界面两边的硅和二氧化硅中发生再分布。其决定因素有： 杂质的分凝现象 杂质通过SiO2表面逸散 氧化速率的快慢 杂质在SiO2中的扩散速度 热氧化时杂质在界面上的再分布 热氧化时杂质在界面上的再分布的诱因 杂质在Si和SiO2中的溶解度不同，扩散系数不同，热氧化时，杂质在SiO2－Si两边要重新分布，这种规律由分凝系数（Segregation Coefficient）来描述 杂质在硅中的平衡浓度 杂质在二氧化硅中的平衡浓度 k = ＝ C1 C2 k1，并且杂质在氧化物中扩散很慢。例如B，k=0.3 杂质在SiO2界面处浓度很高 k1，并且杂质在氧化物中扩散很快。例如 B在含H2气氛下氧化，杂质在Si界面处的浓度趋于零。 k1，并且杂质在氧化物中扩散慢。例如 P，As，Sb杂质在硅界面处堆积 k1，并且杂质在氧化物中扩散快。例如Ga，硅界面处的杂质浓度低于体浓度。 2D热氧化——由于受到转角处对于热氧化时体积膨胀的限制，2D热氧化不同于平面的热氧化 氧化硅在凸角和凹角处均比平坦处薄 凹角比凸角影响更大 氧化滞后与转角的曲率半径 r 相关：r越小，滞后越严重 低温下氧化滞后更严重。1200 ?C未见滞后。 凸角 凹角 晶向：在薄氧化层区域对氧化速率的作用 2D