光刻胶及光刻工艺流程方案策划.ppt

目录;定义:  光刻胶(Photoresist简称PR)又称光致抗蚀剂，它是一种对光敏感的有机化合物，它受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变化。作用： a、将掩膜板上的图形转移到晶圆表面顶层的光刻胶中； b、在后续工序中，保护下面的材料（刻蚀或离子注入）。;光刻胶的成分;光刻胶的主要技术参数;根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类 正胶（Positive Photo Resist）：曝光前对显影液不可溶，而曝光后变成了可溶的，能得到与掩模板遮光区相同的图形。 负胶（Negative Photo Resist）：反之。;光刻胶的分类;光刻胶的主要应用领域;光刻工艺流程;光刻工艺流程;光刻工艺流程; 光刻胶的涂覆常用方法是旋转涂胶法：静态旋转和动态喷洒 静态涂胶：首先把光刻胶通过管道堆积在晶圆的中心，然后低速旋转使光刻胶铺开，再高速旋转甩掉多余的光刻胶，高速旋转时光刻胶中的溶剂会挥发一部分。;光刻工艺流程;光刻工艺流程; 涂胶的质量要求是：（1）膜厚符合设计的要求，同时膜厚要均匀，胶面上看不到干涉花纹；（2）胶层内无点缺陷（如针孔等）；（3）涂层表面无尘埃和碎屑等颗粒。 膜厚的大小可由下式决定： 式中，T为膜厚；P为光刻胶中固体的百分比含量；S为涂布机的转速；K为常数。 3.软烘烤 主要目的有：使胶膜内的溶剂挥发，增加光刻胶与衬底间的粘附性、光吸收以及抗腐蚀能力；缓和涂胶过程中胶膜内产生的应力等。;光刻工艺流程;光刻工艺流程;光刻工艺流程