第8章 光刻方案策划.pptVIP

第8章 光刻 ;8.1 引言 ;8.1.1 光刻概念 ;8.1.1 光刻概念 ;光刻工艺的特征尺寸-工艺水平的标志 随着VLSI集成度的增大，要求集成电路内部器件尺寸越来越小。光刻工艺能刻蚀出多细的线条已成为影响超大规模集成电路可达到的集成度，从而限制其规模的关键工艺之一。在保证一定成品率前提下刻蚀出的最细光刻线条称为特征尺寸。特征尺寸反映了光刻水平的高低，同时也是集成电路生产线水平的重要标志。通常直接用特征尺寸表征生产线的工艺水平。;8.2 光刻工艺 ;8.2 光刻工艺 ;8.3 光刻工艺的8个基本步骤;8.3.1 步骤1：气相成底膜处理;8.3.2 步骤2：旋转涂胶;8.3.3 步骤3：软烘;8.3.5 步骤5：曝光后烘焙;8.3.8 步骤8：显影后检查;8.4 气相成底膜处理;8.4 气相成底膜处理;8.4 气相成底膜处理;8.5 旋转涂胶;8.5 旋转涂胶;8.5 旋转涂胶;8.6 软烘;8.6 软烘;8.7 光刻胶质量测量;8.7 光刻胶质量测量;8.7 光刻胶质量测量;8.8 光刻胶检查及故障排除;8.8 光刻胶检查及故障排除;8.8 光刻胶检查及故障排除;8.9 对准和曝光;8.9 对准和曝光;8.9 对准和曝光;8.9.1 光学光刻;1.光 在光学光刻中，需要一个光源来把版图投影到光刻胶上并引起光化学反应。光的实质就是能被人眼看到的电磁波。光也辐射能量。这两个描述反映了光的波粒二相性的本质。光的传播与声波传播相似。既然光是波，它就可以用波长（λ）和频率（f）来描述。两者的关系为： λ＝v/f 其中，v＝光的速度，3*108m/s f＝以Hz为单位的频率（每秒周期） λ＝波长，频率对应周期的物理长度，以米为单位 ;2.曝光光源 在光刻胶曝光过程中，光刻胶材料里发生光化学转变来转印投影掩膜版的图形。这是光刻中关键的一步。它必须发生在最短的时间内，并在大量硅片生产中是可重复的。 紫外（UV）光用于光刻胶的曝光是因为光刻胶材料与这个特定波长的光反应。波长也很重要，因为较短的波长可以获得光刻胶上较小尺寸的分辨率。现今最常用于光学光刻的两种紫外光源是： 汞灯 准分子激光 除这些通常使用的光源外，其他用于先进的或特殊应用的光刻胶曝光的源有X射线、电子束和离子束。;汞灯 高压汞灯作为紫外??源被使用在所有常规的I线步进光刻机上。在这种灯里，电流通过装有氙汞气体的管子产生电弧放电。这个电弧发射出一个特征光谱，包括250nm到500nm之间有用的紫外辐射。 曝光光源的一个重要方面是光的强度，光强被定义为单位面积的功率（mW/cm2），并且在光刻胶的表面测量。光强的另一种解释是单位面积的光亮或亮度。能量是功率和时间的乘积。光的强度（单位面积的功率）乘上曝光时间就表示了光刻胶表面获得的曝光能量，或曝光的剂量，单位是毫焦每平方厘米或mJ/cm2。; 典型的I线光刻胶通常曝光需要的曝光剂量是100mJ/cm2。考虑到汞灯的发射光谱，248nm的深紫外发射是365nm的I线发射强度的五分之一。由于汞灯在深紫外波长的强度低，I线光刻胶在248nm下曝光要得到相同的效果，就需要五倍的曝光时间。换言之，如果光强减小了，曝光的时间就要成比例增加。这个曝光时间对可接受的硅片生产来说太长了，这也是发展化学放大深紫外光刻胶和具有较高功率的激光光源的原因。 光刻胶树脂对入射辐射过多的吸收是我们所不需要的。如果光刻胶的吸收过多，光刻胶底部接收的光强度就会比在顶部的少很多。这个差异导致图形侧墙倾斜。要获得垂直侧墙图形，光刻胶必须只吸收入射辐射的一小部分，一般小于20％。要使光刻胶的吸收最小化就需要优化波长、光源剂量和光刻胶的类型之间的关系。;准分子激光 从20世纪80年代中期以来，激光光源已可以用于光学光刻，但是可靠性和性能影响它们在硅片生产上的实施推迟到20世纪90年代中期。使用它们的主要优点是可以在248nm深紫外及以下波长提供较大光源，因为汞灯在这些波长发射效率很低。 迄今唯一用于光学曝光的激光光源是准分子激光。准分子是不稳定分子，由惰性气体原子和卤素构成，例如氟化氩（ArF），这里分子只存在于准稳定激发态。准分子一词确切地来自激发的二聚物，是由两个相同原子构成的分子，如F2。它也用来表示惰性气体和卤素分子。 现在大多数准分子激光器含有一种高压混合物，混合物由跃进到激发态的两种和更多成分组成。激光辐射发生在激发态衰变，不稳定的分子分解成它的两个组成原子的时候。激光器维持着激发态的分子多于基态分子，这是通过穿过两个平板电极的高压（10到20Kv）脉冲放电来激发高压惰性气体＆卤素的混合物来实现的。; 从早期的硅