集成电子学课件经典案例.ppt

对于量子化的沟道电子，所受的库仑散射主要来自位于Si—SiO2界面一个热长度Lth以内的带电中心，在室温下近似为Lth=2.5nm 考虑到自由载流子的屏蔽作用，可以用屏蔽长度Ls反映这个作用。因此库仑散射决定的反型载流子迁移率可表示为 μ0表示无屏蔽时每单位面积每个散射中心的作用 当反型载流子面密度大于1012cm-2时，一些电子态被全部填充，二维电子气的简并度将会影响屏蔽长度。考虑到简并情况，可以引入一个反映简并度的系数F： LDH表示无简并情况的屏蔽长度。对无简并情况，；对强简并情况，。引人F系数后，库仑散射决定的迁移率可表示为 从对Si—SiO2界面的TEM分析得到，界面的不平整度大约在1.3nm，均方差约为0.2nm。 表面不平整度引起的表面散射强烈依赖于表面电场。由表面散射决定的迁移率和表面有效电场强度的平方成反比： 其中是与不平整度的均方根有关的拟合系数。载流子对表面散射也有一定屏蔽作用，这个屏蔽作用随温度的升高而减弱。考虑到这个影响，表面散射限制的迁移率可表示为 综合考虑三种散射机制， 按照Matthiessen公式 可以 得出总的迁移率与表面电 场的关系，如图 模型公式计算得到的有效迁移率(实线)与测量数据(点)的比较 在表面电场比较小时，库仑散射起主要作用。另外当温度很低时，声子散射和表面散射作用减弱，库仑散射占主导地位。在库仑散射起支配作用的情况下，反型载流子的迁移率与衬底掺杂浓度有较强的依赖关系。随着表面有效电场强度的增大，声子散射和表面散射起主要作用，迁移率基本与掺杂浓度无关，不同掺杂浓度样品的曲线趋于一致，达到一个，“普适曲线”。 反型载流子迁移率主要受声子散射限制，基本上 的依赖关系。当电场更强时.反型载流子更向表面集中.表面散射加强。当 时，反型载流子的迁移率主要受表面散射限制，因为表面散射对电场有更强的依赖关系。这种情况下电子的迁移率基本随有效电场强度的平方下降。 其中， 其中av的单位是伏，NP是多晶硅掺杂浓度，从上式知，当NP5×1019cm-3时， av50，多晶硅耗尽区的电压降接近于零。 考虑阈值电压时满足 ， ， 。 可以解出考虑多晶硅耗尽后的阈值电压为 阈值电压与多晶硅掺杂浓度的关系。实线是上述理论模型；符号为二维器件模拟软件计算结果。 *亚阈区斜率是什么？ 亚阈值斜率S也称为亚阈值摆幅，其定义为亚阈区漏端电流增加一个量级所需要增大的栅电压，反映了器件从截止态到导通态电流转换的陡直度，具体对应于采用半对数坐标的器件转移特性曲线（lgID-VG）中亚阈区线段斜率的倒数，可表示为： 五、量子效应的影响 （1）器件电压不能按比例缩小 （2）薄栅介质 使得纳米尺度器件(1)栅介质电场≈5MV/cm；硅中电场超过1MV/cm（反型时，见下图）。 由于反型层中的载流子被限制在硅衬底表面的很窄的势阱中，载流子在垂直表面方向的运动受到限制，因此反型载流子不能像体内的载流子那样在三维空间自由运动， 可以用二维电子气描述反型层内的电子状态。 即 变为 可采用如下近似求解反型层量子效应对器件特性的影响 1. 有效质量近似； 2. 三维薛定谔方程被分离为一维薛定谔方程，描述限制布洛赫波沿界面方向的垂直波包函数z(z)； 3. 对势阱里的电子而言，位于Si/SiO2界面的势阱(＝3.1ev)为无穷大。 采用抛物线型的能带结构，有如下薛定谔方程 这里的mzi为界面处i能谷归一化的有效质量，Eij和zij(z)分别为i能谷中的j亚能带的特征值和特征函数。 弱反型层内的电子可以近似看作处在一个三角形势阱中，因为表面电场ES近似是恒定的，在z0一边是氧化层形成的无限高势垒，在z0一边耗尽层电荷形成一个线性电势分布： 在Si/SiO2界面下z处的反型层电子密度可由对所有亚能带进行求和得出 解薛定谔方程，其特征函数为Airy函数 特征能量为 当器件工作于中等反型到强反型时，由于反型层电荷的微扰，Airy函数不能准确描述基态特征函数，]，可采用如下表达式描述最低亚能带的波函数 参数b由使用该公式中的波函数的系统的最小能量决定。由这方法可得到基态亚能带能量近似表达式 下图为量子效应作用下的电荷分布与经典波耳兹曼分布的比较。可以看到，由于量子机制的作用，反型层电荷的峰值将离开界面，该现象可以视为栅氧化层厚度在增加 由于有效栅氧厚度的增加，器件的阈值电压电压将变大，而反型