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集成电路制造工艺概述 什么是集成电路制造工艺？ 集成电路制造工艺是把电路所需要的晶体管、二极管、电阻器和电容器等元件用一定工艺方式制作在一小块硅片、玻璃或陶瓷衬底上，再用适当的工艺进行互连，然后封装在一个管壳内，使整个电路的体积大大缩小，引出线和焊接点的数目也大为减少。 集成电路的发展历程： 1952年，英国的杜默 (Geoffrey W. A. Dummer) 就提出集成电路的构想。 1906年，第一个电子管诞生； 1918年前后，逐步发现了半导体材料； 1932年前后，运用量子学说建立了能带理论研究半导体现象； 1960年12月，世界上第一块硅集成电路制造成功； 1966年，美国贝尔实验室使用比较完善的硅外延平面工艺制造成第一块公认的大规模集成电路。 1988年，16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管 2009年，intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳米工艺 集成电路制造工艺的制作流程： 晶圆制造 沉积 光刻 刻蚀 离子注入 热处理 化学机械研磨 晶圆检测 晶圆检查 晶圆探针测试 封装 成品检测 一、晶圆制造 晶体生长 切片、边缘研磨、抛光 包裹、运输 二、沉积 外延沉积 化学气相沉积 物理气相沉积 三、光刻 光刻是在晶圆上印制芯片电路图形的工艺，是集成电路制造的最关键步骤，在整个芯片的制造过程中约占据了整体制造成本的35%。 光刻工艺将掩膜图形转移到晶片表面的光刻胶上，首先光刻胶处理设备把光刻胶旋涂到晶圆表面，再经过分步重复曝光和显影处理之后，在晶圆上形成需要的图形。 四、刻蚀 刻蚀就是用化学的、物理的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜层除去，从而在薄膜上得到和抗蚀剂膜上完全一致的图形。 返回 六、热处理 利用热能将物体内产生内应力的一些缺陷加以消除。所施加的能量将增加晶格原子及缺陷在物体内的振动及扩散，使得原子的排列得以重整。 热处理是沉积制造工序后的一个工序，用来改变沉积薄膜的机械性能。 返回 七、生产线与代工关系