700v bcd高压场控功率器件及集成技术研究 word格式.docx

摘要700V高压BCD工艺是近几年国内外晶圆生产厂重点开发的工艺平台，其广泛应用于模拟IC（集成电路）中的电源管理、电机驱动、汽车电子和工业控制等领域。相比于传统设计方案所采用的控制芯片加分立功率管的“二合一”方式，700VBCD工艺通常具有低成本、易封装、易设计和芯片外围更精简等优势。高压BCD 工艺中的核心器件按应用可分为高压开关功率管和高压启动功率管。其中高压开关功率管通常采用高压LDMOS（LateralDouble–diffusedMOS），在保持高耐压的同时减小其比导通电阻Ron,sp（导通电阻×面积）是其主要研究方向。RESURF（降低表面电场）技术是高压LDMOS 的核心技术，国内外的相关研究主要围绕着DoubleRESURF技术、TripleRESURF技术以及超结（SuperJunction）技术进行，通过各种结构的变形优化器件的击穿电压和比导通电阻。高压启动器件普遍使用高压JFET（结型场效应晶体管），其主要研究方向为：在获得高耐压的前提下追求较小的夹断电压（也称关断电压）和低漏诱生势垒降低（DIBL）效应。本文的主要创新点针对两类高压场控功率器件，包括：首先，提出了一类700V超低比导通电阻的双p埋层（DB）双通道nLDMOS（DB-nLDMOS），包括源端非隔离型（NISO）与隔离型（ISO）两种结构。针对这类结构，提出了一个导通电阻解析模型，提出了导通电阻优化技术和源端自隔离技术。其次，提出了一类700 V低夹断电压的nJFET，包括两种结构的700VnJFET。同时提出了一种获得低夹断电压、低DIBL效应的关键技术。本文的主要工作如下：第一，提出了超低比导通电阻的700VNISODB-nLDMOS和ISODB-nLDMOS。首先，通过推导器件在深线性区的导通电阻解析模型找出了优化Ron,sp的方向。接着，引入一种降低器件Ron,sp的关键技术，包括两方面：一是在工艺上限制P埋层注入后长时间的高温热预算，二是从结构上优化器件的Neck（双P埋层之间及上方的漂移区）区域的尺寸。这两项导通电阻优化技术使非隔离型和隔离型结构分别获得了800 V和780V的击穿电压、11.5?·mm2和11.2?·mm2的比导通电阻，这是截止论文发表时已报道过的同类技术中的最优值。此外ISODB-nLDMOS引入了一种高压LDMOS自隔离技术，即通过分离地注入N阱漂移区，再通过横扩后连接使其在Neck区域的漂移区拥有较低的漂移区浓度，抑制了鸟嘴下方电场随漏源电压增加而迅速聚集的效应，从而获得了源端可浮动的高的击穿电压。第二，提出低夹断电压700VnJFET。其中包括双埋层TripleRESURFn型JFET（DB-nJFET）和薄沟道TripleRESURFn型JFET（TCT-nJFET）。两种结构均采用一种获得低夹断电压、低DIBL效应的关键技术，即在不增加额外层次前提下，在JFET沟道区引入p型层以降低沟道厚度，这样带来的好处是：增加了栅源电压对沟道区的控制能力，从而使器件获得了低的夹断电压和低的DIBL效应。实验结果显示在漏端电压为500V时，DB-nJFET 获得了30V 的夹断电压，5.7%的DIBL灵敏度和2.6mA的饱和电流；TCT-nJFET获得了24V的夹断电压，3.5%的DIBL灵敏度和2.3mA的饱和电流。此外这两种结构均获得了800V的关态击穿电压和650V左右的开态击穿电压。与传统结构相比，这两种结构均具有低夹断电压、低DIBL效应、高耐压和大的饱和电流等特点。在前述两种高压JFET基础上，提出了一种低损耗、低成本的高压启动电路，由于将700V非独立型nJFET与40VpJFET相结合，使其与传统的方案相比不仅节省了大量的版图面积，也使启动模块的关断损耗更低、关断漏电流更加稳定。第三，提出了一种双通道分段阳极横向绝缘栅双极型晶体管（DSA-LIGBT）。该器件结合了传统的LIGBT和TripleRESURFLDMOS的优点，使其获得了低的比导通电阻、低的转折电压（VST）和快的关断速度（Toff）。通过设计n型阳极和p型阳极的比例及宽度来优化比导通电阻和转折电压。实验结果显示，该器件的转折电压只有0.9V，且在阳极电压VA等于0.9V和3V条件下，比导通电阻分别只有11.7?·mm2和3.6?·mm2，在已报道的同类型结构中具有一定的优势。同时该器件也获得了800V的阳极击穿电压和180ns的关断速度。第四，通过将以上高压器件与中低压MOS管、BJT以及各种电阻电容等器件集成，本文提出并成功实现了一套先进的0.35μm700VBCD工艺。该套工艺主要优点如下：第一，功率管具有800V的耐压和11.7?·mm2的比导通电阻，这个结果属于国内领先和国际先进水平。第二，工艺简单，生产效率高