半导体器件物理教学教程徐振邦半导体器件物理一单元演示文稿.pptVIP

2.费米分布函数 上式表明，一定温度下，一个能量为E的电子状态被电子占据的几率。 1、费米能级是基本上填满和基本上空的能级的分界线。 2、导带和价带中的载流子数目还是可以很多。 1.4 热平衡载流子 3.载流子浓度 其中 其中 讨论：1、n和p随温度和费米能级如何变化？ 2、EF在不同的位置，n和p的大小关系？ 1.4 热平衡载流子 1.4.2 本征半导体载流子浓度 1、电中性条件 2、本征费米能级 3、本征载流子浓度 4、重要关系式 讨论：本征半导体的载流子浓度和哪些因素有关？ 1.4 热平衡载流子 1.4.2 本征半导体载流子浓度 1.N型半导体 2.P型半导体 3.杂质半导体载流子浓度表达式 1.4 热平衡载流子 1.5 非平衡载流子 1.5.1 非平衡载流子的注入 如果对半导体施加外加作用，破坏了热平衡状态的条件，这就迫使它处于与热平衡状态相偏离的状态，称为非平衡状态。处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度将比平衡状态时多，多出来的这部分载流子称为非平衡载流子。注入非平衡载流子的方式有1.光注入、2.电注入、3.其他方式。 小注入条件: 注入的非平衡载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度小得多。 1.5.2 非平衡载流子的复合 在非平衡的情形下，产生和复合之间的相对平衡就被打破了。由于多余的非平衡载流子的存在，电子和空穴的数目比热