半导体制造技术十七节.pptVIP

2 倒掺杂阱 Retrograde Well n-well p-well p+ Buried layer p+ Silicon substrate n-type dopant p-type dopant p++ n++ Figure 17.32 3 穿通阻挡层 n-well p-well p+ Buried layer p+ Silicon substrate n-type dopant p-type dopant p+ p++ n+ n++ Figure 17.33 4. 阈值电压调整 n-well p-well p+ Buried layer p+ Silicon substrate n-type dopant p-type dopant p+ p++ p n+ n++ n Figure 17.34 5. LDD 6.源漏注入 + + + + + + + + - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - n-well p-well p+ Buried layer p+ Silicon substrate p+ S/D implant n+ S/D implant Spacer oxide Drain Source Drain Source b) p+ and n+ Source/drain implants (performed in two separate operations) + + + + + + + + - - - - - - - - - - n-well p-well p+ Buried layer p+ Silicon substrate p-channel transistor p– LDD implant n-channel transistor n– LDD implant Drain Source Drain Source Poly gate a) p– and n– lightly-doped drain implants (performed in two separate operations) Figure 17.35 8. 沟槽电容 n+ dopant n+ p+ Tilted implant Trench for forming capacitor Figure 17.36 9. 超浅结 Figure 17.37 180 nm 20 ? gate oxide 54 nm 砷arsenic implanted layer Poly gate 绝缘层上硅SIMOX a) Common CMOS wafer construction n-well p-well Epi layer Silicon substrate b) CMOS wafer with SIMOX buried layer n-well p-well Implanted silicon dioxide Silicon substrate Silicon substrate Figure 17.38 17.6 离子注入质量测量 1、硅片表面无法接受的颗粒沾污； 2、剂量控制； 3、使用低能注入的超浅结结深。 * 缺点 1.辐射损伤。高温退火修复。 2.设备复杂（比扩散） 注入剂量 能量 离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有电活性。 离子注入剂量 注入剂量是单位面积晶圆表面注入的离子数，可通过下面的公式计算得出 I：束流 单位：库仑/秒 （安培） E：电子电荷 1.6×10-19库仑 t：注入时间 （秒） n：离子电荷（如B＋等于1） A：注入面积 单位cm2 离子射程 离子射程就是注入时，离子进入晶圆内部后，从表面到停止所经过的路程。入射离子能量越高，射程就会越长。 投影射程是离子注入晶圆内部的深度，它取决于离子的质量、能量、晶圆的质量以及离子入射方向与晶向之间的关系。有的离子射程远，有的射程近，而有的离子还会发生横向移动，综合所有的离子运动，就产生了投影偏差。 杂质离子的射程和投影射程 Incident ion beam Silicon substrate Stopping point for a single ion Rp DRp dopant distribution Figure 17.7 离子注入机的种类 Ta