存储器和存储器子系统讲义.pptVIP

二、可编程ROM（PROM） 为了便于用户根据自己的需要确定ROM的内容，有一种可一 次编程的ROM，简称PROM。 这种芯片的内部是采用多发射极（8个）熔丝式PROM结 构。每一个发射极通过一个熔丝与位线相连，管子工作于射极 输出器状态。熔丝一旦烧断，不可逆转，所以只能一次编程写 入。 下图为这种PROM芯片的内部结构。 * 聊城大学东昌学院 三、UV-EPROM UV-EPROM擦除： 当紫外线照射时，悬浮栅上的电荷会形成光电流 泄漏掉 ，即可把信息擦除。输出仍为全1。 （用紫外线照射芯片的石英窗口约10多分钟即可） * 聊城大学东昌学院 四、E2PROM E2PROM（电擦除PROM，又称EEPROM或E2PROM: Electrically Erasable PROM） 工作原理：是在绝缘栅MOS管的浮栅附近再增加一个栅极 （控制栅）。给控制栅加一正电压，就可在浮栅和漏极之间形 成厚度不足200?（埃）的隧道氧化物。利用隧道效应，电子可 注入浮栅 ，即数据被编程写入。若给控制栅加一负压，浮栅上 的电荷可泄漏掉，即信息被擦除。 （目前高压源已集成在芯片内而使用单一的+5V电源） 下面介绍E2PROAM芯片28256（32k?8位） * 聊城大学东昌学院 四、E2PROM（续） EEPROM 28256引脚信号 （32KByte） A0~A14 D0~D7 CE OE WE E2PROM 28256 32k ? 8 A0~A14 地址线 D0~D7 数据线 CE 片选 OE 输出允许 WE 写允许 CE OE WE L L H 读出 L H L 编程写入/ 芯片擦除 写入一个字节大约1~5ms，可以按字节 擦除，也可按页擦除和整片擦除。不需 擦除的部分可以保留。 * 聊城大学东昌学院 五、闪速存储器（FLASH） 闪速存储器也称为快闪存储器或闪存，是一种电 可擦除的非易失性只读存储器。其特点是： 1、按区块或页面组织；除了可进行整个芯片的擦除 和编程外，还可按字节、区快或页面进行擦除与 编程。 2、可进行快速页面写入：CPU将页面数据按芯片存 取速度（一般几十到200ns）写入页缓存，再在内 部逻辑控制下，将整页数据写入相应页面，大大 提高了编程速度。 * 聊城大学东昌学院 五、闪速存储器（FLASH） 3、具有内部编程控制逻辑：写入时，由内部逻辑控制操作，CPU可做其他工作。（CPU通过读出校验或状态查询获知编程是否结束） 4、具有在线系统编程能力：擦除与写入无需取下。 5、具有软件和硬件保护能力：可防止有用数据被破坏。 * 聊城大学东昌学院 五、闪速存储器（FLASH） （一）闪存的内部组织 1、 闪存区别于其他SRAM的最大特点是： ① 内部设有命令寄存器和状态寄存器，因而可通过软件 灵活控制。 ② 采用命令方式可使闪存进入各种不同工作状态。如整 片擦除，页面擦除，整片编程，分页编程，字节编程， 进入保护方式，读识别码等。 ③ 闪存内部可自行产生编程电压VPP。在工作状态下， 在系统中就可实现编程操作。 ④ 部分型号内部具有状态机和编程计时器，编程写入可 在其内部控制下自动完成。 * 聊城大学东昌学院 五、闪速存储器（FLASH） 2、闪存的组织结构 按页面组织和按区块组织 （1）按页面组织：内部有页缓存，存储体按页面组织，页缓 存大小和存储体的页大小一致，可以把页缓存内容同时 编程写入相应的页内单元，提高了编程速度。 （2）按区块组织：按区块组织的闪存，提供字节、区块和芯 片擦除能力，编程速度较快，编程灵活性优于页面方式。 * 聊城大学东昌学院 五、闪速存储器（FLASH） （二）闪存芯片举例 SST公司28EE020—2Mb页面式闪存，256k?8位。 内部组织为2048页，每页128个字节。 页面写周期为5ms，平均写入时