王勇《固体物理基础》精品教学-第5章-半导体.pptVIP

p n 阻挡层 E内 - + + - + - + - + - 加正向偏压V ? 粒子数反转 Ｅ外 E内 p n 阻挡层 + - - - - - + + + + p n 满 带 空 带 eU0 p n 满 带 空 带 e(U0-V) 电子空穴复合发光 5.7 半导体激光器 ． 适当镀膜达到所要求 的反射系数，可形成光振荡并利于选频。 激励能源就是外接 电源（电泵）它提供正向电流，使电子空穴的复合不断进行，维持激光的输出 由自发辐射引起受激辐射 p-n结本身就形成一个光学谐振腔，它的两个端面就相 当于两个反射镜， 5.7 半导体激光器 解理面 p-n结 核心部分： p型GaAs n型GaAs 典型尺寸（?m） ： 长 L= 250 – 500 宽 W = 5 – 10 厚 d = 0.1- 0.2 GaAs同质结半导体激光器 同质结的缺点是需要重掺杂，且光损耗大 5.7 半导体激光器 导带 禁带 价带 p I n p I n - - - - - - - + + + + + + E内 U0 导带 禁带 价带 三块半导体 紧密接触，形成 p-I-n 结 I n p 加正向偏压实现粒子数反转 （本征） 需要电压较高 + - p I n E内 E外 5.7 半导体激光器-同质p-I-n结 Ga1-x Alx As GaAs Ga1-x Alx As 导带 禁带 价带 p I n 导带 禁带 价带 加正向偏压后， 很容易实现粒子数反转 GaAs和GaAlAs,晶格常数基本相同，禁带宽度不同，折射系数不同 U0 I n p p I n - - - - - - - + + + + + + E内 紧密接触, 形成 p-I-n 结 + - p I n E内 E外 5.7 半导体激光器-异质p-I-n结 异质结激光器的优点： 无须重掺杂 GaAs的折射率比两侧高5%，可形成全 反射，把激光束限制在激活区内阈值电 流密度低， 可在室温下连续工作，实际使用的都是 异质结激光器 5.7 半导体激光器-异质p-I-n结 半导体激光器的特点： 用于激光通讯、信息储存、处理和显示器件、测距、制导、夜视等 5.7 半导体激光器 体积小，极易与光纤接合 所需电压低（对GaAs只需1.5V ） 效率高，电能直接变成光能 功率可达 102 mW 寿命长，可达百万小时 制造方便，成本低 Ｅ外 E内 p n 阻挡层 + - - - - - + + + + 发光与太阳能电池原理 电子－空穴复合：发光 光生电子－空穴：太阳能电池 光hω 光生载流子 5.9半导体光伏电池（Solar cell） 太阳能电池的发明 1954年，贝尔实验室，第一枚太阳能电池，偏远地区通讯 系统供电，效率太低(6%)，造价太高(357美元/瓦) Russell Ohl Russell Ohl专利 5.9 半导体光伏电池 太阳能电池工作原理 有光照 在半导体内激发电子—空穴对（且其寿命足够长） 有一个静电场（分离电子—空穴对） 被分离的电子和空穴经电极收集输出电池体外 5.9 太阳能电池 光生电动势 5.9 光生伏特效应 太阳辐射光谱与吸收 到达地面的能量主要集中在可见光区 波长 λ/μm 辐射能量（W/cm2·μm） 太阳辐射光谱曲线及地球大气吸收的影响 5.9 光生伏特效应 能带与转化效率的关系 Bandgap：1.1 ~ 1.7 eV (best:1.5eV). Direct band structure. Long-term stability and non-toxicity. Easy to produce. A. Goetzberger, C. Hebling / Solar Energy Materials Solar Cells 62 (2000) 1~19 CdTe 5.9 太阳能电池 Si——无毒、地壳中储量丰富、技术成熟 单晶硅、多晶硅体材料电池 非晶硅、微晶硅、多晶硅薄膜电池 单晶硅体材料电池：效率高、成本昂贵 实验室中硅电池效率的发展 P 型 背面金属接触 P+层 薄n型层 防反射涂层 顶层接触条 传统的硅空间电池 背面接触 P+ p n 表面织构的晶体硅电池 薄膜太阳能电池 薄膜太阳电池 非晶硅 透明导电膜 p i n 背电极 P-i-n 结构非晶硅太阳电池 叠层的a-Si:H太阳电池 玻璃 SiO2 SnO2 P i n p i n ZnO 背电极 薄膜太阳电池 化合物半导体电池 III-V 化合物晶体电池 经验分析，使电池效率高的最佳半导体带隙~1.4eV左右 GaAs: 1.45eV Si: 1.1eV 1967年第一个GaAs电池 9%