第二章 硅单晶制备.pptVIP

第二章 硅单晶材料的制备 目前国内外，各种类型的半导体器件，如晶体管、集成电路，大规模集成电路等多采用硅单晶制成。因此，本章重点讨论硅单晶材料的制备。 § 2-1 多晶硅的制备 多晶硅制备方法及工艺流程，如图4-1所示。 § 2-1 多晶硅的制备 多晶硅制备方法及工艺流程，如图4-1所示。 一、 工业硅的制备 工业硅，一般是指95~99％纯度的硅．又称粗硅．或称结晶硅。这种硅是石英砂在电炉中用碳还原方法冶炼而成，其反应式为 工业硅中所含杂质主要有Fe，Al，C，B，P、Cu等。其中Fe含量最多．因此， 人们通常称工业硅为硅铁。 当硅凝固时，多数杂质（Fe、Al、C、B、P、Cu等)离析在晶粒周围，这些杂质往往呈硅化合物或硅酸盐状态。一般都可用酸溶解．只有少数杂质如碳化硅、氧化铁不溶。而硅则不溶于酸中，为此可采用酸浸法纯化工业硅、故称化学提纯。 二、四氯化硅(SiCl4)的制备 制备四氯化硅的方法很多，工业上主要采用工业硅与氯气合成方法。其反应式为 三、三氯氢硅（SiHCl3）的制备 粗硅经氯化氢处理即可得到三氯氢硅。其反应原理如下： 四、精馏提纯 精馏是蒸馏时所产生的蒸汽与蒸汽冷凝时得到的液体相互作用，使气相中高沸点组分和液相中低沸点组分以相反方向进行多次冷凝和汽化，来达到较完全分离混合物的过程。 来自下方蒸汽冷凝放出潜热使上方液体部分汽化，易挥发组分从液相转入汽相，而同时下方蒸汽放出潜热后也部分地凝为液体，难挥发组分从气相转入液相。 图4-2 SiHCl3精馏装置示意图 这样在每块塔板上同时进行着气液两相热交换和质量交换，当具有充分多的塔板时，气体沿塔上升途中，易挥发组分不断由液相向汽相转移；最上一块板出来的蒸汽几乎全部是易挥发组分，冷凝后得到纯度较高的馏出液。同理，液相从塔顶到塔底，易挥发组分的浓度依次下降，难挥发组分浓度依次增大．最后得到的的几乎全是难挥发组分液体，从而达到分离提纯混合液体的目的。 三氯氢硅的精馏提纯一般分为两级，习惯上前面一级称粗馏，后面一级称精馏。 五、三氯氢硅的氢还原法制取多晶硅 SiHCl3用氢还原法制取多晶的反应式为： 六、硅烷热分解法制取多晶硅 硅烷热分解反应式为： 七、氢还原法制备多晶硅的工艺系统 系统如图4—3所示。 图4-3 氢还原