清华大学微电子器件与电路课件——张进宇ch03-1.pptVIP

* 3.6.2 费米能级位置随着掺杂浓度及温度的变化 图3.19： 不同掺杂浓度条件下，费米能级位置随着温度的变化关系曲线 * 3.6.2 费米能级位置随着掺杂浓度及温度的变化 Example 3.15 * 3.6.2 费米能级位置随着掺杂浓度及温度的变化 说明：当硅中的受主（施主）浓度大于约3?101 7 cm-3时，分布函数的玻尔兹曼近似就不再适用，前述的关于费米能级的公式就不再那么准确了。 * 3.6.3 费米能级的相关性 3.6.3 费米能级的相关性 在热平衡条件下，一个系统中的费米能级总是保持为一个相等的常数。 考虑两个特定的材料系统，热平衡状态下分别具有各自的费米能级，当二者紧密接触之后，统一后的整个系统中，电子将首先填充最低的能态，因此电子将从费米能级高的材料中流向费米能级低的材料，直到二者具有统一的费米能级。 这个过程如下图3.20所示。 为什么讨论相关性？ * 3.6.3 费米能级的相关性 材料A热平衡时费米能级的位置 材料B热平衡时费米能级的位置 两种材料接触瞬间的情况 达到热平衡的情况 图3.20 * 3.1 半导体中的荷电载流子 3.2 掺杂原子(Dopant Atoms) 及其能级 3.3 非本征半导体材料中的载流子分布 3.4 施主杂质原子与受主杂质原子的统计分布规律 3.5 掺杂对两种载流子浓度的影响 3.6 掺杂及温度变化对费米能级位置的影响 3.7 微电子单项工艺之二：扩散工艺与离子注入工艺 3.8 总结 * 3.7 扩散工艺与离子注入工艺 3.7.1 杂质原子的热扩散 (Diffusion) 简单的一维扩散过程可用Fick第一扩散定律描述 其中F是杂质的扩散流密度（cm-2sec-1），N是杂质原子浓度，D是杂质的扩散系数（cm2sec-1）。 根据物质守恒，则有连续性方程为： (3.69) (3.70) 3.7 微电子单项工艺之二：扩散工艺与离子注入工艺 * 3.7.1 杂质原子的热扩散 联立上述两式得到Fick扩散方程为： 通常扩散系数D是温度的指数函数，温度越高，则扩散系数越大。 对于无限源扩散过程（恒定表面浓度），即表面浓度NS恒定，则杂质分布为余误差分布： (3.72) (3.71) 其中NS为表面杂质原子浓度，erf为误差函数，erfc为余误差函数。 * 3.7.1 杂质原子的热扩散 对于有限源扩散过程，即表面淀积的杂质原子总数一定，为S（cm-2），则杂质分布为高斯分布： (3.73) 扩散工艺过程通常是在高温扩散炉管中进行的，一般常用的扩散温度在1000℃至1200℃之间。 在集成电路制造技术中，经常采用的是两步扩散方法，第一步为预淀积过程，它是一个恒定表面浓度的无限源扩散过程，第二步则是杂质推进过程，它则是一个表面淀积的杂质原子总数恒定的有限源扩散过程。二者的杂质浓度分布曲线如下图所示。 这两种扩散的目的是什么？ Ion implantation is used to introduce dopant impurities into silicon. Dopants are usually Boron, Phosphorus, Arsenic and etc. When implanted in a semiconductor, each dopant atom creates a charge carrier in the semiconductor (hole or electron, depending on if it is a p-type or n-type dopant), thus modifying the conductivity of the semiconductor in its vicinity. Diffusion has many functions. One of them is also introduce dopant impurities into silicon, but not so precise compare to ion implantation. UOther functions of diffusion are thermal oxidation, nitrat deposition, annealing..... * 3.7.1 杂质原子的热扩散 图3.21：无限源扩散过程，假设D=10-12cm2/s 图3.22：有限源扩散过程，假设D=10-12cm2/s 可参见书上讲解。 对扩散系数有讨论。 * 3.7.2 杂质原子的离子注入 3.7.2 杂质原子的离子注入 (Ion Implantation) 离子注入是在半导体中引入杂质原子的一种可控性很强的方法。被注入的杂质原子首先被离化，然后通