第1章晶体管的开关特性和脉冲基本单元电路.ppt

第 1 章 【 学习目标 】 1 .掌握晶体二极管及三极管的静态开关特性和动态开关特性。 2 .掌握晶体二极管及三极管构成的限幅电路、箝位电路工作原理。 3 .掌握 RC 电路构成的脉冲基本单元电路的组成及工作原理。 1.1 晶体管的开关特性 理想的开关： 在接通时，其接触电阻为 0，在开关上不产生压降； 在开关断开时，其电阻为无穷大，在开关中没有电流。 并且接通与断开都要求在瞬间完成。 1.1 晶体管的开关特性 在脉冲与数字电路中，晶体二极管和三极管通常工作于开关状态，即它们在输入信号作用下，时而导通，时而截止，起着“开关”的接通与断开作用。但实际上晶体二极管和三极管并非理想开关，因而需要研究它们的开关特性，以便了解它们和理想开关之间的差异，从而正确使用。 1.1.1 二极管的开关特性 1.1.1 二极管的开关特性 1.1.1 二极管的开关特性 ( 1 ）正向特性 UiUTH时，二极管导通，相当于闭合开关。 ( 2 ）反向特性 UiUTH时，二极管截止，ID≈0,相当于开关断开。 应当指出，二极管两端的反向电压不能过大，如大于其反向击穿电压 UBR，反向电流几会急剧增大，它会使二极管反向击穿而损坏。因此，工作时，二极管两端的反向电压应小于其反向击穿电压 UBR 。 1.1.1 二极管的开关特性 1.1.1 二极管的开关特性 （1 ）反向恢复时间 在Ui=UFUTH时，ID=IF≈UF/R 当Ui= UR时，ID=IR≈UR/R，trr后，ID=0。 1.1.2 三极管的开关特性 1.1.2 三极管的开关特性 1.1.2 三极管的开关特性 当Ui≥UBE， 1.1.2 三极管的开关特性 当Rb再减小，UCE=0.7V时,集电结由反偏变为零偏，称为临界饱和状态 当Rb再减小，UCE＜0.7V时，集电结和发射结均正偏，c 、 e 之间近似短路，相当于开关闭合。 1.1.2 三极管的开关特性 1.1.2 三极管的开关特性 同二极管一样，给三极管加上脉冲信号，三极管时而截止，时而饱和导通。三极管在两种状态之间相互转换时，其内部电荷也有一个“消散”和“建立”的过程，也需要一定的时间。这就是我们要研究的动态特性。 1.1.2 三极管的开关特性 1.1.2 三极管的开关特性 (1)延迟时间 td―从输入信号Ui正跳变的瞬间开始，到集电极电流Ic上升到 0.1ICS 所需的时间。是发射结的结电容充电，使空间电荷区逐渐由宽变窄所需要的时间。 (2)上升时间tr―集电极电流从0.1ICS上升到0.9ICS所需的时间。是给发射结的扩散电容充电，即在基区逐渐积累电子，形成一定的浓度梯度所需的时间。 (3)存储时间ts―从输人信号Ui下跳变的瞬间开始，到集电极电流IC下降到0.9Ics所需的时间。是消散超量存储电荷所需的时间。饱和越深，超量存储电荷越多，存储时间ts越长；而反向基极电流越大，超量存储电荷消散得越快， ts越短。 (4)下降时间 tf ―集电极电流从 0.9ICS以下降到 0.1ICS所需的时间。是继续消散临界饱和状态时为建立浓度梯度而在基区中积累的电荷，即发射结的扩散电容放电所需的时间。 1.1.2 三极管的开关特性 开通时间ton=td+tr 关闭时间toff=ts+tf 1.1.2 三极管的开关特性 在三极管基极和集电极之间并接一个肖特基二极管(简称 SBD)构成的。肖特基二极管的正向压降小，约为0.4V ，容易导通，它分流了三极管的一部分基极电流，使其工作在浅饱和状态，从而大大缩短了三极管的开关时间，提高开关速度。 1 ．在数字电路中，半导体器件一般都工作在开关状态。晶体二极管两端的正向电压UD大于门限电压 UTH 时，二极管导通，相当于开关闭合。一 UBR UD UTH 时（ UBR为反向击穿电压）二极管截止，相当于开关断开。由于电荷的存储效应，晶体二极管存在开关时间，主要体现在由导通到截止所需的反向恢复时间 trr 。 2 ．晶体三极管的可靠截止条件为： Ube≤ 0 ，这时 Ib=0 , Ic=0，集电极和发射极之间相当于开关断开；三极管的饱和条件为Ib≥IBS=ICS/β=VCC/ΒRc,这时 UBES≈0.7V ，UCES=0.3V ，集电极和发射极之间相当于开关闭合。三极管从截止到饱和需要开通时间ton。三极管从饱和到截止需要关闭时间toff。抗饱和三极管可有效缩短开关时间。 课外作业 1. 教材Ｐ16 1