第一章_固体照明概述.pptVIP

三、白光LED产生的几种方法 压（亚）克力 实例 白色LED照明灯 地砖灯 礼品灯 手电筒 太阳能LED 庭院景观 LV饭店 日本企业公司 道路安全警示 太阳能交通信号 太阳能LED路灯 实例“水立方” LED照明除了比用常规照明至少节能60%以外，还拥有长寿命、易集成、快响应、利环保、光分布易于控制、色彩丰富等优势。以“水立方”为例，仅使用LED灯的“水立方”景观照明工程，预计全年可比传统的荧光灯节电74.5万千瓦时，节能达70%以上。 实例“梦幻长卷”和“梦幻五环” 相信奥运会开幕式的“梦幻长卷”和“梦幻五环”大家还记忆犹新，它被展现在一个4564平方米的巨大LED大屏幕上，这是迄今为止世界上最大的单体全彩色大屏幕，升入空中的“梦幻五环”，则是由4.5万颗LED灯编排而成的。 梦幻五环 梦幻长卷 四、LED的基本参数 4.1 电学参数 4.2 光学参数 4.3 热学参数 4.1电学参数 正向工作电流IF 正向工作电压VF 反向漏电流IR 反向电压VR 4.2光学参数 光通量 Φ(lm) 发光强度I(cd) 亮度L(cd/m2) 照度E(lm/m2 ,Lx) 发光效率η(lm/w) 主波长λd(nm) 峰值波长λp(nm) 色温Tc(K) 色显指数Ra 半强角度1/2θ 光谱半高宽△λ 4.3热学参数 结温 热阻（℃/W） 五、LED的结构特征 5.1 LED封装结构特征 5.2 LED芯片结构特征 晶片Dice R,G,B 金线Au wire 1.01.2mil 银胶Ag epoxy 支架Leadframe 胶水Epoxy （环氧树脂） 5.1.1 LED Lamp Structure（直插型） 5.1.2 High power LED structure(大功率LED) Lumileds Packaging 大功率LED实物图 GaN-LED芯片的基本结构 InGaN MQW active layer Sapphire substrate p-electrode (Ni/Au) p-electrode (Ni/Au) p-GaN layer n-GaN layer GaN buffer layer n-electrode(Ti/Al) 5.2.1 LED芯片结构特征 之 双电极 蓝光LED芯片基本结构 衬底层：一般为蓝宝石或SiC，目前研究最热的是Si衬底。 n型氮化镓层：GaN的n型掺杂比较简单，掺杂源为IV族元素Si、Ge、Se等 发光层：为p型或者n型含铟的氮化镓，或非掺杂的氮化铟镓，可通过改变发光杂质的种类来改变禁带宽度，从而改变发出光的波长。 p型氮化镓层：多数采用p型AlGaN，掺杂主要是Mg 等II族元素 p型接触层：一般采用p型GaN，使之与正电极材料达到良好的欧姆接触。 透明导电层：为了将电流有效地分散以达到均匀发光，避免所发的光被p型金属电极衰减。 芯片基本结构:Flip-chip 5.2.2 LED芯片结构特征 之 倒装结构 芯片基本结构:SiC 垂直结构 5.2.3 LED芯片结构特征 之 单电极 Cu Heat Sinking Ag Reflector Transparent ohmic contact P-GaN InGaN/GaN MQW N-GaN ITO contact layer N-electrode pad 芯片基本结构:金属衬底、垂直结构 5.2.3 LED芯片结构特征 之 单电极 六、LED的产品分类 按发光颜色分：可分成红色、橙色、绿色（又细分黄绿、标准绿和纯绿）、蓝光等。另外，有的发光二极管中包含二种或三种颜色的芯片。 根据发光二极管出光处掺或不掺散射剂、有色还是无色，上述各种颜色的发光二极管还可分成有色透明、无色透明、有色散射和无色散射四种类型。 按发光管出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、表面安装用微型管等。 圆形灯按直径分为φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm及φ20mm等。 从发光强度角分布图来分有三类： （1）高指向性：半值角为5°～20°或更小。（2）标准型：其半值角为20°～45°。（3）大角度。 按发光二极管的结构分有全环氧包封、金属底座环氧封装、陶瓷底座环氧封装及玻璃封装等结构。 按发光强度和工作电流分: 有普通亮度的LED（发光强度10mcd）； 超高亮度的LED（发光强度100mcd）； 把发光强度在10～100mcd间的叫高亮度发光二极管。 ?5系列举例（圆形，子弹头） 5.0*8.7mm圆形有帽沿子弹头LED 5.0*8.7mm圆形有帽沿LED 食人鱼系列 LED分类