模拟电子技术＿第一章1_二极管＿刘广孚.pptVIP

本节小结与要求（熟练掌握掌握理解了解） 1.3.4 二极管的模型 1. 理想模型 所谓理想模型，是指在正向偏置时，其管压降为零，相当于开关的闭合。当反向偏置时，其电流为零，阻抗为无穷大，相当于开关的断开。具有这种理想特性的二极管也叫做理想二极管。 在实际电路中，当电源电压远大于二极管的管压降时，利用此模型分析是可行的。 A K 所谓恒压降模型模型，是指二极管在正向导通时，其管压降为恒定值，且不随电流而变化。硅管的管压降为0.7V，锗管的管压降为0.3V。 只有当二极管的电流ID大于等于1mA时才是正确的。 在实际电路中，此模型的应用非常广泛。 2．恒压降模型 例1.3.1 一限幅电路如图(a)所示，R=1kΩ, UREF=3V。 （1）当ui=0V、6V时，用两种模型分别求输出uO的值； （2）当ui=6sinωt V时，画出输出电压uo的波形(用理想模型)。 1.3.5 稳压二极管 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样。 (b) (a) 稳压二极管的伏安特性 (a)符号 (b) 伏安特性 (c)应用电路 (b) (c) (a) 图示 (1) 稳定电压UZ —— (2) 动态电阻rZ —— 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 其概念与一般二极管的动态电阻相同，只不过稳压二极管的动态电阻是从它的反向特性上求取的。 rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 rZ =?UZ /?IZ (3) 最大耗散功率 PZM —— 稳压管的最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时PN结的功率损耗为 PZ= UZ IZ，由 PZM和UZ可以决定IZmax。 (4) 最大稳定工作电流IZmax 和 最小稳定工作电流IZmin —— 稳压管的最大稳定工作电流取决于最大耗散功率，即PZmax =UZIZmax 。 而Izmin对应UZmin。 若IZ＜IZmin则不能稳压。 (5)稳定电压温度系数——?VZ 温度的变化将使UZ改变，在稳压管中当 ?UZ? ＞5.6 V时，UZ具有正温度系数。 当?UZ?＜5.6 V时，UZ具有负温度系数。 当?UZ? 接近5.6 V时，稳压管可以获得接近零的温度系数。这样的稳压二极管可以作为标准稳压管使用。 稳压二极管在工作时应反接，并且串入一只电阻。 电阻的作用一是起限流作用，以保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。 (c) 光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。 I V 照度增加 发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光。目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。 1.了解半导体的基本知识 2.理解PN结的单向导电性 3.掌握二极管的单向导电性及两种模型， 二极管、稳压管的工作原理、主要参数的意义和特性曲线 4.熟练掌握二极管电路分析与计算 Rectification 整流 PN结加上反向电压演示 PN结的伏安特性 在PN结的两端加上电压后，通过管子的电流i 随管子两端电压u 变化的曲线——伏安特性。 1.2.3 PN结的反向击穿特性 1、反向电压小时：很小的反向饱和电流。 2、加到PN结两端的反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加：PN结的反向击穿(电击穿)。 ３、发生击穿所需的反向电压UB 称为反向击穿电压。 ４、PN结电击穿可分为“雪崩击穿”和“齐纳击穿”两种类型。 　　PN结反向电压增加时，空间电荷区中电场增强，电子和空穴获得很大的能量，在运动中不断与晶体原子发生“碰撞”。 “碰撞”可使价电子激发，形成电子空穴对，称为“碰撞电离”。新产生的电子和空穴，在电场作用下也向相反的方向运动，重新获得能量，又可通过碰撞，再产生电子空穴对，这就是载流子的“倍增效应” 。当反向电压增大到某值后，载流子的倍增情况就象在陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样，载流子增加得多而快，使反向电流急剧增大，于是PN结就发生雪崩击穿。 雪崩击穿的物理过程 　 在较高的反向电压下，PN结空间电荷区中存在一个强电场，它能够直接破坏共价键，将束缚电子拉出来形成电子-空穴对，因而形成较大的反向电流。齐纳击穿一般发生在杂质浓度大的PN结中。因为杂质浓度大，空间电荷区内电荷密度也大，因而空间电荷区很窄， 即使反向电压不太高，在P