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fesibpsir复合材料薄膜的力敏物性研究word格式论文.docx

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fesibpsir复合材料薄膜的力敏物性研究word格式论文

优秀毕业论文 精品参考文献资料 摘 要 柔性力敏薄膜传感器是曲面接触应力测量的主要传感器,是当前力敏传感 器的研究重点之一。 本文在 FeCuNbSiBp/SiR 复合材料薄膜的研究基础上,采用模压成型工艺制 备的 FeSiBp/SiR 复合材料薄膜,薄膜厚度为 80~220μm,FeSiB 粉体含量为 25~85wt%,粒径在 28~60μm 范围内,较系统地研究了 FeSiBp/SiR 复合材料薄膜 的力敏特性。 FeSiBp/SiR 复合材料薄膜力敏稳定性好,其性能表征参数(阻抗值 Z、应力 阻抗效应 SI%和灵敏度 k)随压应力的变化趋势相同,对小于 0.2MPa 的应力更 敏感。如薄膜粉体含量为 77.52wt%、薄膜厚度为 200μm、粉体粒径在 28~32μm 范围内的薄膜,在加载过程中,应力由 0.06 增加到 0.18MPa,k 值由 143.49 减 小到 20.66,应力由 0.18 增加到 0.54MPa 时,k 值由 20.66 减小到 2.00,当应力 继续增大到 1MPa 时,k 值几乎不变。 压应力加载/卸载速率 v 对 FeSiBp/SiR 复合材料薄膜力敏特性的影响显著。 随着 v 的减小,薄膜的 SI% 值增大,标准偏差减小,薄膜的力敏性能更加稳定, 重复性性越好。当 v 不大于 0.1mm/min 时,薄膜的 k 值几乎不变。25wt%的复合 材料薄膜在 v 不大于 0.1mm/min,测试频率 1kHz、压应力 0.1~1.0MPa 时,薄膜 具有良好的力敏稳定性和灵敏性,随着 v 的增大,SI% 值减小,k 值相接近,在 6.8~0.4 之间。 测试频率 f 对 FeSiBp/SiR 复合材料薄膜的力敏特性的影响显著。f 越高,薄 膜的 Z 和 k 值越小。75wt%的复合材料薄膜试样在 1kHz、50kHz 和 100kHz 三个 频率下,进行动态加载/卸载试验,应力恒定时,随着 f 的升高,Z 值和 k 值减小, 当 f 为 50kHz 及 100kHz 时的 k 值很小,始终小于 0.5。 复合材料薄膜厚度、粉体含量及粉体粒径对 FeSiBp/SiR 复合材料薄膜的力 敏特性的影响显著。在相同的测试条件下,220μm 复合材料薄膜阻抗-时间曲线 的重复性较 80μm 和 120μm 复合材料薄膜重复性好; FeSiB 粉体粒径越小,复 合材料薄膜的力学性能越稳定,Z 和 k 值越大,对应力敏感的范围越宽,但滞后 效应显著;25wt%和 75wt%的复合材料薄膜力敏特性较 83.3wt%的复合材料薄膜 的力敏特性稳定。25wt%的复合材料薄膜的滞后效应最小,75wt%的复合材料薄 I 膜的滞后效应最大。 封装后的复合材料薄膜仍具有较好的力敏稳定性,且对脉搏的跳动都能做 出有规律的周期性响应。 关键词:力敏薄膜;复合材料薄膜;传感器 项目资助:本项目为国家自然科学基金委员会-中国工程物理研究院联合基金 资助项目 II ABSTRACT ABSTRACT Flexible thin-film sensor is the main force-sensitive sensor for surface contact stress measurement. It is one of the key researches of force-sensitive sensors currently. Force-sensitive nature of FeSiBp/SiR composite thin films which were prepared by molding process were systematically studied in this project, based on the research of FeCuNbSiBp/SiR composite thin-film. Thickness of the FeSiBp/SiR composite films analyzed in this project were controlled from 80μm to 220μm with FeSiB particle content in the range of 25 ~ 85wt% and FeSiB particle size in the range of 28 ~ 60μm. Force-sensitive stability of FeSiBp/SiR composite films was extremely excellent. The performance characterization parameters (impe

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