β-fesi2半导体薄膜的制备及性能的分析-preparation and properties analysis of β - fesi _ 2 semiconductor thin films.docxVIP

目录摘要...................................................................ⅠAbstract................................................................Ⅳ第一章绪论............................................................11.1β-FeSi2的晶体结构和基本性质11.2β-FeSi2薄膜的制备方法41.3国内外研究现状......................................................................................................41.4选题依据和本论文的内容安排..............................................................................5第二章薄膜理论模型及实验装置............................................72.1薄膜生长动力学......................................................................................................72.2脉冲激光沉积技术原理..........................................................................................82.3薄膜的性能表征....................................................................................................106.3小结........................................................................................................................41第七章总结............................................................437.1本论文的主要研究成果..........................................................................................437.2对今后研究工作的建议..........................................................................................44参考文献.............................................................45攻读硕士学位期间发表的论文目录..........................................55致谢..................................................................57β-FeSi2半导体薄膜的制备及性能的研究摘要β-FeSi2是一种新型的半导体材料，它在发光、光电、热电等方面都具有优异的性能，可用于制作薄膜发光器件、薄膜太阳能电池、热电器件、磁性半导体器件等。β-FeSi2有很高的光电转化效率，理论上，β-FeSi2的光电转换效率可以达到16%-23%，其转化效率仅次于晶体硅。另外，β-FeSi2具有0.85eV的直接带隙，其发光波长为1.5μm，发光对应的特征区域正是硅的全透明区，也是光纤通信中的最重要波段。β-FeSi2这一特点对于新型光电器件和光纤的结合具有重要的意义，继而进一步激发了人们对它的研究兴趣。β-FeSi2也是一种环境半导体材料，它的组成元素资源丰富、无毒、对生态无破坏。论文首先介绍了β-FeSi2的结构性能、应用前景、制备β-FeSi2薄膜常用的方法以及国内外研究现状等，进而围绕脉冲激光沉积工艺制备β-FeSi2薄膜展开了一系列的研究工作。(1)用脉冲激光溅射高纯度的Fe靶，使溅射出来的粒子与高温的Si衬底进行反应，制备出了高质量的β-FeSi2薄膜，这是采用脉冲激光沉积技术制备β-FeSi2薄膜的一种新的尝试。与传统的利用脉冲激光直接溅射FeSi2陶瓷靶制备的薄膜相比，采用溅射Fe靶的方法得到的薄膜结晶质量更好，表面更加平整、结构更