(16位微机原理及接口技术)第三章存储器.ppt

管脚定义如下：  A12～A0：地址线，13位（对应8 K存储单元），输入，连系统地址总线；  D7～D0：数据线，8位，双向，编程时作数据输入线，读出时作数据输出线，连数据总线；  CE：片选允许之前（功能同CS），输入低电平有效，连地址译码器输出；  OE：输出允许，输入，低电平有效，连读信号RD；  PGM：编程脉冲控制端， 输入，连编程控制信号；  VPP：编程电压输入端；  VCC：电源电压，＋5 V。  ① 读方式。这是2764最常用的方式，在读方式下，VCC和VPP均接＋5 V电压，PGM接低电平，从地址线A12～A0接收CPU送来的所选单元地址，然后使CE、OE均为有效（为低电平）， 于是经过一个时间间隔，所选单元的内容即可读到数据总线上。 图3-9为2764读方式时的时序图，由图可知，芯片允许信号CE必须在地址稳定后才有效，以保证正确读出所选单元数据。 图 3-9 2764读方式的时序 ② 备用方式。 即2764工作于低功耗方式，该方式与芯片未选中时类似， 这时芯片从电源所获取的电流从100 mA下降到40 mA，功耗降为读方式下的25%。只要使PGM端输入一个TTL高电平信号， 即可使2764工作于备用方式，该方式使数据输出呈高阻态。由于读方式时CE和PGM是连在一起的，所以，当某芯片未被选中时，则CE和PGM处于高电平状态，此芯片就相当于处于备用方式， 可大大降低功耗。 ③ 编程方式。 在编程方式下，只要将VPP接25 V电压（不同型号芯片所加电压不同，有的芯片仅须加12.5 V电压，加得不正确会烧坏芯片，应注意器件说明），VCC加＋5 V电压，CE端和OE端为高电平，从地址线A12～A1端输入需要编程的单元地址，从数据线D7～D0上输入编程数据，在PGM端加入编程脉冲，宽度为50 ms，幅度为TTL高电平，便可实现编程（写入）功能。应注意，必须在地址和数据稳定之后，才能加入编程脉冲。 3． EPROM编程器 由于对EPROM编程时，每写入一个字节都需要加50 ms宽的PGM脉冲电流，编程速度太慢，而且容量越大， 编程速度越慢。为此，Intel公司开发了一种新的编程方法，比标准方法快5～6倍，按照这一新的编程思路，人们开发了多种型号的EPROM编程器，所以，目前对EPROM编程都使用专门的编程器。 编程器通常要依靠一台微机才能工作，编程器通过一个接口卡与微机扩展槽相连，并配有一套编程软件，控制编程器工作方式和微机与编程器之间的数据传送。编程器上有EPROM芯片插座，一般可对多种型号的EPROM芯片进行编程。  EPROM除了一些常用的芯片如2764、27218、27256、 27512等外，还有一些大容量的EPROM，如27C010（128 K×8）、27C020（256 K×8）和27C040（512 K×8）等芯片， 适用于工业控制中固化监控程序、 用户应用程序等内容。 3.3.4 电可擦除可编程ROM（EEPROM） EPROM的优点是一块芯片可以多次反复使用，但是它有两个明显的缺点, 一是每次编程要从电路中拔下来，先用紫外线抹除器擦除原内容，然后进行编程， 这很麻烦; 二是它的擦除是对芯片整体擦除，哪怕只需要改一个字节，甚至一位，也必须把整个芯片内容都擦除，然后再重新写入，这是很不方便的。为了克服EPROM的这两个缺点，就产生了电可擦除可编程ROM——EEPROM。EEPROM是一种在线（或叫在系统，即不用拔下来）可编程只读存储器。它能像RAM那样随机地进行改写，又能像ROM那样在掉电的情况下所存信息不丢失，即EEPROM兼有RAM和ROM的双重功能， 因此使用起来很方便。 Intel 2864A容量为8 K×8，28个引脚, 双列直插式封装， 其引脚与EPROM 2764兼容。  A12～A0：地址线，输入，其中A7～A6为行地址，A12～A8为列地址，8 K容量的2864A内部结构为256行×32列的矩阵。 I/O7～I/O0：数据输入/输出线，双向，读出时为输出，写入/擦除时为输入。 2864A内部设有地址和数据输入锁存器，所以，在进行较长时间的写入/擦除操作时，可释放这些总线。 CE：片选和电源控制端，输入。   WE：写入允许控制端，输入。当对2864A进行擦/写、功率下降操作时，控制逻辑