有机金属化学气相堆积系统的建立及单晶硅lt;100gt;上铜薄膜的成长.pdfVIP

摘 要 在超大规模集成电路制造过程中，研究新一代的金属连线具有重要的意义。 特别是当元件的最小线宽小到O．15 urn以下时，金属连线的电致迁移效应成为主 要问题，随之连线的阻值和电容也不能忽略，装黄的性能要求我们找到一种阻值 更低的金属来取代现在集成电路中一直使用的铝。铜就是一种可选用的理想材 料，因为它具有很好的导电性，较Al有更好的抗电致迁移的能力。 本工作主要是白行设计、组建、调试了一套MOCVD系统，并且对整套装 置进行了三次较大的改进，第一次主要集中在输送线路的改进；第二次主要是添 加一套四极杆质谱检测系统；第三次主要是系统真空系统的优化以及反应室、试 片基座的改进。 以Cu(hfac)2为反应前趋物进行了有关研究，首先对CVD薄膜沉积的反应条 件进行了优化，实验结果表明，当反应温度为350。C、反应压力为3ton、沉积 面向下、沉积面经过2％的HF溶液处理的Si基材最利于铜薄膜的生长，反应 7min后，si基材上已镀上一层致密的铜薄膜，从而证明了本装置的良好性。 借助AFM、SEM对铜核的成长机理进行了研究，结果表明，反应初期，Si 型(先层状后岛状型)。前趋物在反应室和氢气反应，部分生成物——铜，沉积 在Si基材上易于成核处，随着反应的进行，先沉积的铜核成为晶种，后面生成 的铜核易沉积在它上面，为了降低整体的能量，它们倾向于形成一个较大得原子 团，即形成岛状铜核；而到了反应后期，岛状铜核之间的缝隙不断有原子来填充， 这样使得岛状铜核彼此连接，形成铜薄膜；当层装薄膜基本成长后，在生成的薄 膜上，又会有新的岛状铜核的生成。 利用XPS对实验的反应机理进行了研究，得出了反应初期的反应机理。由 采撕、锄同^ 幻全文公布 基材表面上，与本研究所观察到的现象相符，而且可以看出Si02随着反应时间 的增加而减少，OH随着实验反应时问增加而增人，反应进行一段时间，si表面 的0原子反应完全，则发生Cu(hfac)2的热裂解、以及与H2的氧化还原反应。 关键词：有机金属化学气相沉积铜薄膜单晶硅100前驱物 Abstract The research andthe recent in background progress metal-organic chemical filmsinthe vapor metallization deposition(MOCVD)ofcopper of hasbeen processintegrated summarizedand circuits(IC)fabrication reviewedin details AversatileMOCVDhasbeen and constructedin system designed thiswork．Therewereaboutthree theinstallation． improvements