晶体生长科学与技术1(1-2) 综述PPT.ppt

真空的基本特点 在真空中，气体分子密度低，在某些情况下，真空可以近似地看作没有气体“污染”的空间。真空中，气体分子或带电粒子的平均自由程随气体分子的减少而增大： 1. σ为气体分子有效直径，对空气分子，其值可取σ=0.37 nm，p为压强，T为气体温度，k为玻耳兹曼常数，； 2.例如室温下氮分子的平均自由程在压强为10-9 Torr的时大于50km； 因此，真空中分子之间碰撞频率很低，分子与固体表面碰撞的频率极低。单位面积上气体分子碰撞频率ν与压强p的关系为： 式中M和T分别为气体分子的分子量（单位：g）和温度（单位：K）。 所以，在普通高真空，例如10-6 Torr时，对于室温下的氮气，ν=4.4×1014分子/cm2 ?S，如果每次碰撞均被表面吸附，按每平方厘米单分子层可吸附5×1014分子个分子计算，一个“干净”的表面只要一秒多钟就被覆盖满了；而在超高真空10-9 Torr 或10-11 Torr 时，由同样的估计可知“干净”表面吸附单分子层的时间将达几小时到几十小时之久。 以前“原子清洁”的固体表面主要通过解理来获得，并且极其容易被污染； 超高真空可以提供一个“原子清洁”的固体表面，可有足够的时间对表面进行实验研究； 超高真空的应用，无论在表面结构、表面组分及表面能态等基本研究方面，还是在薄膜生长等应用研究方面