退步半导体漂移-扩散模型解的存在性和唯一性.pdfVIP

摘要 本文研究一类退化半导体方程 -V·(V妒)=P一竹+a (0．1) m—V·厶=r(n，p)(1一㈣+g，厶=V妒(n)一#1rive(0．2) (0．3) A+V·易=r唧，p)(1一嘲+g，一而=vv(p)+mpV妒 带有如下初边值条件： (妒，n，p)=(’幻，nD，pD)，(z，t)∈Eo三FD×(0，T) (0．4) x(0刃 (0．5) (筹，鬻，嵩)_(0，oo)，㈨)E]EN=FN (n，P)=(no，Po)，霉∈n，t=0 (0．6) 的弱解存在性和唯一性． 这里竹，P分别表示电子和空穴的浓度，妒表示静电场的位势， 厶，