第一章半导体基础(二极管).pptVIP

上节内容回顾 概念：两种载流子、两种运动 、本征激发与复合、空间电荷区 PN结的单向导电性 PN结的形成原理 温度对二极管伏安特性的影响 五、半导体二极管的等效电路 1、二极管的理想模型 ??? 正向偏置时，管压降为0V，反向偏置时，认为它的电阻为无穷大，电流为零。在实际的电路中，当电源电压远比二极管的管压降大时，利用此法来近似分析是可行的。 五、半导体二极管的等效电路 2、开关等效模型(恒压降模型） ?? 当二极管导通后，其管压降认为是恒定的，且不随电流而变，典型值为0.7V。该模型提供了合理的近似，因此应用也较广。 五、半导体二极管的等效电路 3、折线等效模型 UUon时斜率为1/rD 本节要求 掌握二极管的单向导电性、稳压管的稳压作用及它们的外特性。 理解二极管、稳压管主要参数的物理意义。 会使用二极管等效模型。 了解其它知识。 * 1.2 半导体二极管 半导体二极管的结构类型 半导体二极管的特性 半导体二极管的参数 半导体二极管的温度特性 稳压二极管 半导体二极管的等效电路 一、半导体二极管的结构类型 在PN结上加上引线和封装，就构成二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 点接触型二极管— PN结面积小，结电容小， 用于检波和变频等高频电路。 平面型二极管— 往往用于集成电路制造工 艺中。PN 结面积可大可小，用 于高频整流和开关电路中。 面接触型二极管— PN结面积大，用 于工频大电流整流电路。 半导体二极管图片 半导体二极管图片 半导体二极管图片 二、半导体二极管的伏安特性 伏安特性曲线： 第一象限的是正向伏安特性曲线，第三象限的是反向伏安特性曲线。伏安特性曲线可用下式表示 U I 死区电压 硅管0.5V,锗管0.1V。 导通压降: 硅管0.6~0.8V,锗管0.1~0.3V。 反向击穿电压UBR 反向饱和电流IS（硅小于0.1微安，锗为几十微安） 二极管的伏安特性 典型二极管的伏安特性 典型二极管的伏安特性曲线 (a) 锗管； (b) 硅管 三、半导体二极管的参数（一） 1 最大整流电流IF—— 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 2 反向击穿电压UBR——— 和最大反向工作电压UR 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压UBR。 为安全计，在实际 工作时，最大反向工作电压 UR一般只按反向击穿电压 UBR的一半计算。 3 反向电流IR 4 最高工作频率 fM 在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。 二极管工作频率的上限值，影响单向导电性（结电容）。 三、半导体二极管的参数（二） 四、半导体二极管的温度特性 温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加，如硅二极管温度每增加8℃，反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加12℃，反向电流大约增加一倍。 另外，温度升高时，二极管的正向压降将减 小，每增加1℃，正向压降VF(VD)大约减小2mV， 即具有负的温度系数。 温度对二极管伏安特性曲线的影响 图示 (a) 正向特性; (b) 反向特性; (c) 击穿特性 温度升高 正向曲线左移 温度升高 反向曲线下移 ID + VD -- R 10K? + VDD — 20V ID + VD -- R 10K? + VDD — 20V ID + VD -- R 10K? + VDD — 20V + Von — (a) 原电路 (b) 理想模型电路 (c) 恒压降模型电路 图1.2.9 例1.2.1的电路图 解：（1）理想模型，VD=0， 则 （2）恒压降模型，VD=0.7V， 则 例1.2.1 求图1.2.9（a）所示电路的硅二极管电流ID和电压VD。 4. 微变等效电路 iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 例题 七、稳压二极管 1、定义 稳压二极管是应用反向击穿特性制成的特殊硅二极管。 稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样。 2 、稳压二极管符号、特性及稳压原理 U I IZ IZmax ?UZ ?IZ 稳压误差 曲线越陡，电压越稳定。 + - UZ 动态电阻： rz越小，稳压性能越好。 图示 3、应用电路 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。 电阻的作用一是起限流作用，