大规模-物理淀积.ppt

* 在集成电路制造工艺中，常常需要在硅片的表面淀积各种固体薄膜。薄膜厚度一般在纳米到微米的数量级，薄膜材料可以是金属、半导体或绝缘体。 淀积薄膜的主要方法 热氧化（常压热氧化、分压热氧化、高压热氧化等） 物理淀积（真空蒸发、溅射镀膜、分子束外延等） 化学气相淀积（CVD）（常压 CVD、低压 CVD、等离子增强 CVD、气相外延等） 第 12 章 物理淀积：蒸发和溅射 12.1 升华和蒸发 随着温度的升高，材料经历从固相、液相到气相的变化。在任何温度下，材料周围都存在蒸汽，平衡蒸汽压为 pe 。温度越高，平衡蒸汽压就越高。材料温度低于熔化温度时，产生蒸汽的过程称为 升华；材料熔化后，产生蒸汽的过程称为 蒸发。　　 被蒸发材料在真空室内加热，使其原子或分子通过蒸发大量离开表面，淀积到硅片上形成薄膜。这种技术可以淀积熔点不太高的金属或热稳定性良好的化合物，成膜纯度高。 有极少数材料通过升华的方式淀积薄膜，如 Zn、SiO 等。 为了得到合适的淀积速率，材料的平衡蒸汽压应该不低于 10 mTorr 。不同材料的平衡蒸汽压相差很大 ，难熔金属包括 Ta、W、Mo 和 Ti 等的平衡蒸汽压太低，不适合用蒸发的方式淀积薄膜。例如 W 要超过 3000oC 才有 10 mTorr 的平衡蒸汽压，而 Al 在 1250oC 就有同样的平衡蒸汽压。 12.2 淀积速率 蒸发速率： “液 气” 过程中单位时间内从单位蒸发源面积上蒸发出来的粒子数。蒸发速率只与温度 T 有关。 净蒸发速率：扣除 “气 液” 过程后净蒸发出来的粒子数。净蒸发速率与温度 T 和蒸汽压 p 两个因素有关。 平衡蒸汽压：若在一个密封的、且内表面不吸附蒸发物质的容器中，在某一固定的温度下进行蒸发，此时蒸发速率是固定的。但是随着蒸发的进行，容器中的压力增大，“气 液” 的数量增大， 使净蒸发速率下降。最后当 “液 气” 和 “气 液” 的数量相等时，净蒸发速率降为零，压力则保持一个恒定值 。称此时的蒸汽压为平衡蒸汽压，记为 pe 。pe 是温度 T 的函数，随 T 的升高而急剧增大 ( 见图 12.2 ) 。 蒸发时同时存在着 “液 气” 和 “气 液” 两个过程。 根据气体分子运动论，单位时间内碰撞到单位蒸发源面积上的气体粒子数为 注意，Jn 与 p、T 有关，而 Rn 只与 T 有关，因为 pe 是 T 的函数。若容器壁与硅片不淀积蒸发料，则 p = pe ，Jn = Rn ，净蒸发速率为零；反之，则 p pe ，Jn Rn ，净蒸发速率为 在平衡状态时，p = pe ，故可得蒸发速率为 将 Rn 乘以原子质量 m 就得到 单位时间内从单位源面积上蒸发出来的质量，即 对大多数金属，当 pe = 10-2 Torr 时，RME 约 10-4 g/cm2 s 。 一般情况下 p pe ，则净蒸发速率就是 Rn 。 式中， 为粘着系数，As 为蒸发源表面积，t 为蒸发时间， 为薄膜密度。 膜厚及其均匀性 1、点蒸发源 设硅片架为平板型，则薄膜厚度 W 为 D x 0 显然，中心处的膜最厚， 为改进膜厚的均匀性，可将硅片架改为球面型 ，并将蒸发源置于球心处 ，此时， D 其特点是蒸汽分子在空间的分布与角度有关。 2、小平面蒸发源 当采用平板型硅片架时， 当采用球面型硅片架，并将蒸发源置于球面上时， 为了进一步改进膜厚的均匀性，还可将硅片架设计成按 “行星方式” 进行旋转。 12.3 台阶覆盖 蒸发工艺的主要缺点之一是台阶覆盖性差，容易导致金属引线在台阶处断开，严重影响集成电路的可靠性和成品率。由于金属化是集成电路制造过程的最后几个步骤，硅片表面的形貌高差会比较严重，使台阶覆盖问题变得更加重要。 台阶覆盖性差 台阶覆盖性好 解决办法 1、采用旋转硅片架； 2、蒸发时对硅片适当加热； 3、蒸发前使硅片平坦化。 电