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分光光度法检测半导体工业用水中痕量硅
分光光度法检测半导体工业用水中痕量硅
【摘要】硅酸盐在酸性介质中与钼酸铵反应生成硅钼黄,硅钼黄还原为硅钼蓝后,可被HLB小柱定量萃取。在此基础上,建立了流动注射固相萃取分光光度(FISPEVis)测定水中痕量硅酸盐的新方法。反应生成的硅钼蓝经HLB小柱萃取后,用水清洗去除杂质,NaOH溶液洗脱,分光光度法检测。实验对各参数进行了优化,优化后的参数为:洗脱剂浓度/L;试样上柱流速/min;洗脱流速/min;反应温度45;硅钼黄与硅钼蓝反应时间均为5min;钼酸铵混合溶液、草酸溶液、抗坏血酸溶液的用量分别为,和。本方法具有良好的重现性和灵敏度,测定含硅μg/L的硅酸盐水样7次,RSD值为%;选取不同的试样富集时间,可将定量分析的线性范围扩展为~117μg/L;检出限μg/L;回收率为%~105%。可满足特殊工业用水中痕量硅检测的需要。
1、引言
工业用水中的硅含量若超出允许范围,将对产品产生不良影响,甚至造成严重事故。例如,可溶性硅浓度是火力发电厂、试剂厂、半导体厂等用水质量的重要控制指标之一。半导体工业用水的硅浓度限制在1μg/L以下[1]。水中的可溶性硅主要以硅酸形式存在,经典的测定方法为硅钼蓝分光光度法。该法检出限较高,不能满足工业用水中硅的检测要求。近年来新的检测方法相继出现,包括改进的硅钼蓝法[2,3]、碱性染料分光法[1,4]、动力学光度法[5,6]、鲁米诺化学发光法[7,8]、荧光法[9,10]、电化学法[11]以及原子光谱法[12,13]等。这些方法,或灵敏度达不到要求,或干扰严重,实验操作要求高,均未得到广泛应用。
本研究以流动注射分析(FI)技术控制分析过程,将硅钼蓝富集在HLBTM固相萃取(SPE)小柱上,以少量NaOH溶液洗脱,由可见分光光度计在线检测,由此建立了流动注射固相萃取分光光度(FISPEVis)测定水中痕量硅酸盐的新方法。
2、实验部分
仪器和试剂
732PC型可见分光光度计(上海光谱仪器有限公司);FIA3110型流动注射分析处理仪(北京吉天仪器有限公司);HH1型数显恒温水浴锅(金坛市顺华仪器有限公司);OasisHLB小柱(美国Waters公司)。实验器皿用HCl(14,V/V)浸泡10min后,用纯水清洗。蠕动泵管为硅橡胶管,流路管道为PTFE管,实验器皿均为非玻璃材质器皿。试剂均由MiliQ纯水机(美国Millipore公司)制备的纯水(Ω·cm)配制。硅标准溶液(100mg/L(以SiO2计),国家标准物质研究中心);/LH2SO4(优级纯,广东汕头化学试剂厂);钼酸铵(分析纯,国药集团)混合溶液:称取(NH4)6M7O24·7H2O溶于50mL水中,将此溶液缓慢地加入到50mLH2SO4中;100g/L草酸(分析纯,广东汕头市西陇化工厂)溶液;28g/L抗坏血酸(分析纯,国药集团)溶液。/LNaOH(优级纯,上海山海工学团实验二厂)贮备液;/LNaOH使用液;无水乙醇(分析纯,国药集团)。
1.钼酸铵混合溶液(Ammoniummolybdate);2.草酸溶液(Oxalicacid);3.抗坏血酸溶液(Ascorbicacid);4,6,;5.无水乙醇(Ethnaol);;V1.八位阀(8Positionvalve);V2.八通阀(8Portrotoryvalve);P1,P2.蠕动泵(Pump);Rc.反应瓶(Reactioncontainer);D.检测器(Detector);W.废液(Waste)。实线阀位(Valvepositioninrealline):Inject;虚线阀位(Valvepositionindashedline):Fill。实验方法与流动注射分析流路图
流动注射分析的流路见图1。流动注射分析程序列于表1。量取100mL试样于聚乙烯瓶中,运行步骤:(1)P1泵将钼酸铵混合溶液送入反应瓶Rc中;(2)瓶中的硅酸与钼酸铵反应生成硅钼黄;(3)反应5min后,草酸溶液与抗坏血酸溶液被P1泵先后泵入反应瓶中;(4)所有试剂加毕,试液在45水浴中反应5min;(5)乙醇与水依次被P1泵过HLB小柱,清洗小柱并预冲洗管道;(6)启动P2,试液以/min的流速通过HLB小柱,其中的硅钼蓝被萃取;(7)水清洗小柱;(8)吸附在HLB小柱上的硅钼蓝被/LNaOH溶液以/min的流速洗脱,流经2mm()×2cm的流通池,由分光光度计于810nm处测定吸光值。该信号被计算机连续采集,每记录1个数据,以洗脱曲线的形式输出。洗脱曲线峰高处的吸光值,即试样中活性硅定量的依据。为防止小柱长期浸泡于碱性洗脱剂,洗脱完毕需用水反向清洗小柱。表1流动注射分析程序及阀位
3、结果与讨论
检测波长的选择
取适量水样加试剂反应
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