CMO模拟集成电路设计ch3单级放大器.ppt

CMOS模拟集成电路设计 单级放大器 提纲 1、共源级放大器 2、共漏级放大器（源跟随器） 3、共栅级放大器 4、共源共栅级放大器 1、共源级放大器 1.1 电阻做负载的共源级放大器 大信号分析 小信号分析 讨论 增益对信号电平的依赖关系导致了非线性 1.2 MOS二极管连接做负载的共源级 MOS二极管连接 增益 NMOS二极管连接做负载 另一种二极管连接nmos管做负载的结构 优点？ 缺点？ 另一种二极管连接nmos管做负载的结构 电流镜只采用nmos 没有体效应 增益精确 好的PSRR 两倍功耗 讨论 增益与输入信号无关，是器件尺寸的弱函数。 高增益要求会造成晶体管的尺寸不均衡。 1.3 电流源负载的共源级放大器 讨论 获得更大的增益 M2的输出阻抗与所要求的M2的最小|VDS|之间联系较弱，因此对输出摆幅的限制较小。 长沟器件可以产生高的电压增益。 同时增加W、L将引入更大的节点电容。 ↑ID→ AV ↓ 1.4 带源级负反馈的共源级放大器 小信号直接分析方法 考虑沟道长度调制及体效应时，电路的交流小信号模型为 小信号等效分析 计算Gm 计算Rout 计算Av 2、共漏级放大器（源跟随器） 大信号分析 当VinVTH时，M1处于截止状态，Vout等于零； 小信号分析 采用电流源的源跟随器 考虑M1、M2的沟道长度效应，并驱动电阻负载， 讨论 即使源跟随器采用理想电流来偏置，输入输出特性仍呈现一些非线性。 将衬底和源连接在一起，就可以消除由体效应带来的非线性。对于N阱工艺，可采用PMOS来实现。 源跟随器使信号直流电平产生VGS的移动，会消耗电压余度。 3、共栅级放大器 大信号分析 （Vin从某一个大值开始减少） 当Vin≥Vb－VTH时， M1处于关断状态，Vout＝VDD 由大信号分析得到小信号增益 当M1处于饱和区时（忽略沟道长度调制） 小信号分析 （考虑晶体管的输出电阻rO及信号的阻抗Rs） 增益 输入阻抗 输出阻抗 与计算带负反馈的共源级放大器的输出电阻情况一致。 4、共源共栅级放大器 偏置条件 使M1，M2都处于饱和区， 小信号分析 增益 输出阻抗 讨论 折叠式共源共栅放大器 所谓“折叠”针对小信号电流。小信号分析与共源共栅放大器一致。 为了获得相当的性能，折叠式共源共栅放大器的总偏置电流应该比共源共栅放大器的大。 大信号分析 小结 小结 共源共栅级放大器 精确电压增益计算见教材例3.15，留给同学自学。 Rout≈（gm2＋gmb2）rO1rO2，可见M2将M1的输出电阻提高了（gm2＋gmb2）rO2倍。 具有屏蔽特性。屏蔽输入器件，不受输出结点影响。 根据线性电路电压增益等于-GmRout，增大Rout可以提高增益。 例子： 粗略计算， ， 得到 共源共栅级放大器 讨论（续） 可用来构成恒定电流源。 高的输出阻抗提供一个接近理想的电流源。 采用PMOS的共源共栅结构，电流源的 表现的输出阻抗为 因此， 而Gm≈gm1，所以，电压增益近似等于 消耗较大的电压余度，采用共源共栅电流源的共源共栅放大器的最大输出摆幅 共源共栅级放大器 共源共栅级放大器 如果VinVDD-|VTH1|，M1截止，电流I1全部通过M2，有Vout=VDD-I1RD 如果VinVDD-|VTH1|，M1开启处于饱和区， 随着Vin ↓ ，ID2↓，当ID1=I1时，ID2＝0，有 当Vin下降到Vin1以下，ID1趋向大于I1，迫使M1进入线性区使ID1=I1。 － － 差 好 较好 － 线性度 － ∞ 忽略λγ 带源级负反馈 小 ∞ 忽略λ 忽略λ 二极管 负载 电阻负载 － 忽略λ 共栅极 ∞ ∞ ∞ 输入电阻 小 共源共栅级 （电流源负载） 小 忽略λ 忽略λ 共漏极 （电流源负载） － 共源级 摆幅 输出电阻 小信号增益 直流或低频下！ 电路仿真是必不可少的！ 不要让计算机替你去思考！ 带源级负反馈的共源级增大了源级的输出电阻，但等效Gm变小，总的Av小 共栅极的Rout与带源级负反馈的共源级计算方法一样（共源共栅的Rout也一样，只是将ro1看作Rs） 二极管连接BW=gm/(Cgs+Cds)=fT/2 诺顿定理：线性有源单口网络等效电流源的恒流源等于有源单口网络的短路电流，内阻等于网络中所有独立源不激励时的端口电阻。 戴维南定理：线性有源单口网络等效电压源的恒压源等于有源单口网络的开路电压，内阻等于网络中所有独立源不激励时的端口电阻。 η= gm/gmb随Vout增大而