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招 生 简 介 中国科学院微电子研究所是一所专业从事微电子领域研究与开发的国立研究机构，是中国科学院微电子技术总体和中国科学院EDA中心的依托单位。微电子所本着“惟精惟一、求是求新”的办所精神，面向国家战略需求，积极承担重点科技攻关与产品开发任务，一方面拓展前沿技术与基础研究领域，发展交叉学科方向；同时通过全方位合作积极推进成果的应用开发和产业化，推动产业发展。微电子所致力于打造现代化的高技术研究机构，成为我国IC技术和产业领域一个技术创新基地和高素质高层次人才培养基地，为促进国家微电子技术进步和自主创新，实现产业的可持续发展做出贡献。 微电子研究所是国务院学位委员会批准的博士、硕士学位授予单位，2004年批准建立博士后流动站。现有职工876人，其中中国科学院院士2人，高级研究人员99人，上岗研究生导师81名（其中博士生导师34名），在读研究生近300多人。 主要研究方向：1.硅器件及集成技术；⒉微细加工与新型纳米器件集成；3.微波电路与化合物半导体器件；4.集成电路设计与系统应用（包括专用集成电路与系统、通信与多媒体片上系统芯片、集成电路设计与应用开发）；5.微电子、光电子、微机械及新能源制造工艺及装备 ；6.先进电子封装。 专业学科名称为微电子学与固体电子学。本专业一级学科为电子科学与技术，作为一门交叉与综合性学科，跨专业学习具有极大的发展前景与潜力，因此微电子所欢迎并鼓励微电子专业及通讯与通信工程类、计算机类、自动化类、软件类、光电技术、物理与应用物理学、材料学等相关专业的同学报考。 除招收普研（学术型）外，我所还计划在电子与通信工程（代码：085208）和集成电路工程（代码：085209）两个领域招收全日制专业学位研究生。我所2012年度研究生招生仍为国家计划内公费。 专业代码： 080903 专业名称： 微电子学与固体电子学 学科专业研究方向与导师 ( 硅器件及集成技术 该方向为一室、十室研究方向，一室主要从事CMOS及SOI CMOS器件与集成电路、功率器件与集成电路、高可靠性器件与集成电路、微系统及集成技术研究等的研究、设计、制造及测试。十室（集成电路先导工艺研发中心）主要从事先导CMOS工艺技术研究、新型MEMS传感器、CMOS MEMS集成技术研究以及传感器读出电路研究，主要研究方向有CMOS新结构器件与模型、先导CMOS工艺整合与集成技术、高K金属栅技术、超浅结低阻源漏技术、高迁移率沟道工程技术、新型互连技术、TSV 3D集成技术、新型MEMS传感器、CMOS MEMS集成技术、MEMS集成微镜技术、MEMS芯片级真空封装技术、MEMS器件建模、数模混合电路设计技术、微弱信号处理电路设计技术、多传感器数据融合技术的研究等。这两个研究室一直致力于硅基器件与集成电路主流工艺技术的研究, 曾先后完成“VDMOS功率器件”、“0.8微米CMOS工艺”、“亚微米SOI CMOS电路的研究”、“0.35微米CMOS集成电路关键技术”、“0.1微米级CMOS FET”等国家重点攻关项目的研究，具有很强的硅器件、电路与工艺技术研发能力，并在诸多技术方面一直保持着国内领先地位。 导 师 简 介 叶甜春 男 1965年出生 研究员 博士生导师 所长 韩郑生 男 1962年出生 研究员 博士生导师 杜 寰 男 1963年出生 研究员 硕士生导师 欧 毅 男 1975年出生 副研究员 硕士生导师 罗家俊 男 1973年出生 研究员 硕士生导师 孙宝刚 男 1969年出生 副研究员 硕士生导师 李多力 男 1977年出生 副研究员 硕士生导师 朱阳军 男 1980年出生 副研究员 硕士生导师 陈大鹏 男 1968年出生 研究员 博士生导师 王文武 男 1973年出生 研究员 博士生导师 朱慧珑 男 1958年出生 研究员 博士生导师 骆志炯 男 1972年出生 研究员 博士生导师 尹海洲 男 1974年出生 研究员 博士生导师 钟汇才 男 1973年出生 研究员 博士生导师 梁擎擎 男 1977年出生 研究员 博士生导师 闫 江 男 1960年出生 研究员 博士生导师 欧 文 男 1969年出生 研究员 硕士生导师 王玮冰 男 1977年出生 副研究员 硕士生导师 杨清华 男 1976年出生 副研究员 硕士生导师 殷华湘 男 1974年出生 研究员 硕士生导师 ( 微细加工与新型纳米器件集成 该研究方向为三室的研究方向，主要从事纳米微细加工技术（包括光学光刻掩模及分辨率增强、电子束光刻、下一代光刻及掩模、亚90nm加工工艺等）、纳米器件及集成（包括纳米电子器件模型、硅基和化合物基半导体纳米器件、基于量子效应的纳米器件及其集成、基于新材料新原理的纳米器件如分子电子器件及其集成等）、新