掺杂型钙钛矿srmo3m=ru,ti结构和性能的第一性原理研究-study on the first principle of the structure and properties of doped perovskite srmo 3m = ru, ti.docxVIP
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掺杂型钙钛矿srmo3m=ru,ti结构和性能的第一性原理研究-study on the first principle of the structure and properties of doped perovskite srmo 3m = ru, ti
2010 级2010 级硕士研究生毕业论文掺杂型钙钛矿 SrMO3 (M = Ru, Ti)结构和性能的第一性原理研究II摘 要本文采用含超软赝势平面波方法的广义梯度近似和局域密度近似第一性原理对 SrRuO3/SrTiO3/SrRuO3 隧道结中的氧空位情况进行计算分析,同时对 Na 和 Fe 掺杂 SrRuO3 的结构、电子和磁学性质,以及 Ti 掺杂 SrRuO3 的结构、电子和力学性质进行 了相关研究。首先,采用第一性原理计算方法对 SrRuO3/SrTiO3/SrRuO3 磁性隧道结的氧空位形 成能进行了相关研究。结果表明该体系的氧空位形成能的大小除了主要受到金属-氧 键的断裂的影响外,还受到界面晶格参数匹配情况的影响。计算结果表明氧空位的分 布集中在晶格生长的界面上。此外,本文还对最低氧空位形成能模型的两个界面的电 子环境和磁性环境的不对称性进行了评估。其次,采用含超软赝势平面波方法的广义梯度近似和局域密度近的第一性原理对 Ru 掺杂立方相 SrTiO3 体系进行了研究。计算的晶格常数与实验值吻合。用电子结构 分析表明 SrTiO3 和 SrRu0.125Ti0.875O3 分别为绝缘体和导体,原因是 Ru-O 的杂化使体 系在费米能级上的电子数升高,并且从能带结构图上可以得知,Ru-O 杂化带使得费 米能级穿过了价带,从而掺杂的体系发生了绝缘体-导体的转变,这与实验现象吻合。 本文还计算综合分析了 SrTiO3 和 SrRu0.125Ti0.875O3 的弹性常数,体积弹性模量,各向 异性常数,并预测了其德拜温度,计算结果与实验值相近。第三,基于密度泛函理论含超软赝势平面波的方法,在广义梯度近似并考虑库伦 排斥作用(GGA+U)下研究了对于 Na 掺杂 SrRuO3 体系的结构,电子及磁性质。对模 型的基态能量计算表明,所有的模型都处于稳定的顺磁性状态。Na 的掺杂使 RuO6 八面体发生了比较强烈的 Jahn-Teller 畸变。Na 掺杂削弱了 SrRuO3 的斯托纳(Stoner) 效应,从而导致了 SrRuO3 磁性减小。能带结构和态密度的计算结果表明,Na 掺杂使 得 SrRuO3 在费米能级附近的能带相互远离,降低了费米能级上的电子数量,通过积 分计算可得出费米能级以上的电子数量同样减少了。综合可得 Na 掺杂虽然可以使导 电性降低,但是没有发生金属到绝缘体的转变。最后,对于 Fe 掺杂立方相 SrRuO3 体系,根据能量最小化原理获得的晶格常数和 实验数据相似。对掺杂形成能的计算结果表明 Fe 更易掺杂在 SrRuO3 的 Ru 位而不是 Sr 位,这与他人报道的实验结果吻合。对模型的基态能量计算表明,所有的模型都处 于稳定的顺磁性状态。本文还分析了体系中可能出现的双交换和超交换作用。从对体 系的电子结构和态密度分析可得知,Fe 的掺杂可使 SrRuO3 的导电性降低。关键词:掺杂;第一性原理;磁当量;钙钛矿;弹性常数IIIIAbstractIn this paper, the structural, electronic, magnetic and properties of the follow systems: SrRuO3/SrTiO3/SrRuO3, Na and Fe doped in SrRuO3, Ru doped in SrTiO3 are investigated by first principles, respectively.Firstly, for the SrRuO3/SrTiO3/SrRuO3, the case of oxygen vacancy sites formation energies of five different models, are studied with the pseudo-potential plane wave method within the generalized gradient approximation (GGA) and GGA+U, can be semi quantitatively described of metal-oxygen bonds broken and lattice mismatch in the interface. The calculational results indicate that the distribution of the oxygen vacancy is mainly concentrated the interface of the crystal growth. Furthermore, the electronic properties of the model wh
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