不同氨化条件对gan纳米线形貌及晶向影响分析-influence of different ammoniation conditions on morphology and crystal orientation of gan nanowires.docxVIP

摘要论文题目：不同氨化条件对GaN纳米线形貌及晶向影响研究学科专业：光学研究生：林杰签名：指导教师：李恩玲教授签名：摘要GaN是一种直接宽带隙半导体材料，其禁带宽度为3.4eV，有稳定的化学和物理性质，被应用在LED、激光二极管和紫外探测器及高功率器件。GaN材料功函数为4.1eV及电子亲和势为2.7-3.3eV，并且具有高热导率等特点，一维GaN纳米材料又具有大的长径比，使其在场发射应用方面具有很大的应用潜能。本论文阐述了GaN纳米线的晶体结构，研究了Ni催化CVD法合成GaN纳米线时，氨化温度、氨化时间、以及氨气流量对GaN纳米线形貌及晶向的影响，得到的主要结论包括：第一、随着氨化温度变高，导致GaN分子快速堆积，GaN在Si衬底上的纳米线密度增加；氨化温度越高，Si衬底的Ni催化剂颗粒越容易发生聚集，从而越容易生长直径大的GaN纳米线；不同氨化温度对GaN纳米线的生长晶向会产生一定的影响，是由于生长面的活性在不同氨化温度条件下不一致所导致的。第二，随着氨化时间的增加，GaN纳米线在Si衬底的面密度会相对增加，同时，GaN纳米线在生长的过程中会继续吸附堆积GaN分子，从而也会使纳米线直径增加，容易生长成GaN纳米棒。在氨化温度1050温度℃，氨气流量设置为250sccm，设置氨化时间分别为15min、20min、30min条件下制得的样品XRD衍射图谱衍射峰值变化不大，主要都沿（100）、（002）、（101）三个晶向生长，其中可能沿（101）晶向择优生长。因此，氨化时间不会对GaN纳米线的晶向产生很大影响。第三，随着氨气流量增加，GaN纳米线在Si衬底的面密度也会相对增加，同时，氨气流量越大，生长过程中有更多的Ga源和N源参与反应，从而使纳米线直径增加。另外，随着氨气流量变大，GaN纳米线表面形貌也会随着发生变化。根据在氨化温度为1050℃，氨化时间为20min，设置氨气流量分别为150sccm、250sccm、350sccm条件下制得样品XRD衍射图谱表明，三个样品主要都是沿（100）、（002）、（101）三个晶向生长，其中可能沿（101）晶向择优生长。氨气流量相对较小时，GaN纳米线可能主要沿（101）晶向择优生长，随着氨气流量的增加，其他晶向的GaN纳米线比例也会逐渐增加。第四，实验制备的GaN纳米线样品具有较高的纯度，为六方纤锌矿结构，并且遵循iVLS生长机制。关键词：GaN纳米线；化学气相沉积（CVD）；氨化条件；晶向本论文得到国家自然科学基金专项基金项目（NO和陕西省科学技术研究发展计划项目（No.2013JZ018）资助AbstractTitle:THEINFLUENCEOFDIFFERENTAMMONIATEDCONDITIONSONMORPHOLOGYANDCRYSTALLINEDIRECTIONOFGaNNANOWIRESMajor:OpticalName:JieLinSignature:Supervisor:Prof.EnlingLiSignature:AbstractGaNnanomaterialshavebeenattractedtremendousattentionduetotheadvantageofawideband-gap,highthermalconductivity,goodphysicalandchemicalstability,andgoodcarriermobility.ItcanbeusedwidelyforblueLED,laserdiodes(LD),ultravioletdetectorandhighpowerdevices.Meanwhile,GaNnanowirehasalowelectronaffinity,andgreatlength-diameterratio,itcanbeusedforfieldemittercathodes.Inthisthesis,thecrystallinestructuresofGaNhasbeendepicted.GaNnanowiresgrownonNi-coatedSisubstrateshavebeensynthesizedbyusingchemicalvapordeposition(CVD).Firstofall,westudiedtheeffectoftheammoniationtemperature,ammoniationtime,andtherateofNH3gasonthemorphologyofGaNnanowires.Thenwestudiedthemorphology,compositionandstructureofGaNnanowires.Thebasiccontentsandres