4H-SiC缓变掺杂基区双极晶体管研究.pdfVIP

4 4H．SiC缓变掺杂基区双极品体管研究 电流增益也很稳定【71。 目前在H．SiC Zhao等人研制出了 BJT在频率方面的研究不多，2005年Feng RF 在7／5．2GHz半绝缘衬底的4H．SiCBJTtl5】。随后他们又在传导衬底上制作了成 4H．SiC 本更低的RF BJT。该器件在1GHz频率，A．B工作方式时，功率密度 信号为lms脉冲宽度，10％占空比)，可以应用在长波L波段功率放大器中【16J。 目前在国内4H．SiCBJT的研究还比较少，发表的文献也比较少，还存在不少 问题，未来的发展契机还很大。 1．3 4H．SiC缓变基区双极晶体管的优势 为简化驱动电路和增加能效，提高电流增益是SiC BJT走向实际应用的主要 问题。基区渐变掺杂产生的自建电场促使电子从发射极迅速的通过基极，减少基 区复合，也有助于提高器件的电流增益。基区采用高斯掺杂的形式代替恒定掺杂 的形式后，由于基区杂质浓度梯度的存在，在基区引入了自建电场，加速了载流 子的渡越时间，减少了载流子的复合，从而有效的提高了双极晶体管的电流增益。 目前SiCBJT的研究都是基于原位外延掺杂和台面工艺的。基区的欧姆接触 通常需要通过p+离子注入来形成。离子注入通常需要在1500℃以上的高温进行激 活退火。基区的离子注入和高温退火在基区和SiC表面产生的晶格损伤会导致基 区复合增加，降低电流增益。有实验显示降低基区离子注入的能量和剂量可以提 高电流增益。 SiC BJT面临的另一个重要问题是器件持续工作的稳定性。实验表明双极晶 体管在大电流下持续工作会出现集电极／发射极电压(V∞)的漂移，这个漂移甚至会 达到10％以上，从而严重影响了器件的稳定性。研究表明，V∞漂移来自于衬底 上的基面位错从SiC衬底向外延层的延伸。当器件工作于双极导通模式时，基面 位错为堆垛层错(SF)的生长提供了成核位，基面位错转变为堆垛层错。在阻挡层 中进一步扩展的堆垛层错将俘获载流子并显著的增加器件的电阻，导致器件的V∞ 漂移。离子注入的高温退火过程会加剧外延层中堆垛层错的扩展，降低器件的稳 定性。 随着SiC外延生长水平的提高，可以较为精确的控制外延层的厚度和掺杂浓 度，这使得利用外延生长技术有可能实现无注入工艺制备SiCBJT。本文中提出 的多层外延基区渐变掺杂的结构设计，不需要离子注入和高温退火工艺。这将减 少对SiC表面的晶格损伤，抑制堆垛层错在外延层中的迸一步扩展，并有助于提 高基极和发射极之间钝化层的质量，从而提高器件的电流增益，改善器件的可靠 性。另外，渐变掺杂在基区产生的自建电场促使电子从发射极迅速的通过基极， 第一章绪论 减少基区复合，也有助于提高器件的电流增益。 1．4本文的主要工作 本文的主要工作是基于国内外已发表的4H．SiC材料的特性数据以及4H．SiC 双极晶体管的实验数据，在TCAD．ISE仿真软件中建立数值模型，利用软件模拟 研究新型的4H．SiC双极晶体管的结构，为进一步的实验提供理论指导。 1．首先概括介绍了研究SiC双极晶体管的意义，以及SiC双极晶体管的发展 现状以及存在的问题。 2．概括总结了4H．SiC双极晶体管的工作机理和主要结构，重点研究分析了缓 变基区双极晶体管的性能优势和主要参数。 3．在ISE中建立4H．SiC双极晶体管的数值模型，对目前成熟的器件结构进 行改进，研究基区为高斯掺杂分布的新型4H．SiC双极晶体管的直流特性、频率 特性。 4．在ISE中建立4H．SiC双极晶体管的数值模型，研究多层外延缓变基区结 构的4H．SiC双极晶体管的直流特性、击穿特性和频率特性。最后讨论了4H．SiC 双极晶体管的基区如何设计能更好的提高器件的电流增益和频率特性。 第二章4H．SiCBJT基本模型和器件特性 7 第二章4