西安交通大学微电子制造技术第十章氧化课件.pptVIP

微电子制造技术第 10 章 氧 化;引 言;学 习 目 标;氧化硅的结构与性质;典型SiO2的物理结构 由位于氧四面体中心的硅原子组成; 由上图可见，二氧化硅薄膜是一种无定型的玻璃状结构，具体地说是一种近程有序的网状结构，没有长程有序的晶格周期，这是因为四面体单元在晶体内没有以规则的三维形式排列。 性质 优质的绝缘材料，熔点温度：1732℃；热生长的SiO2能够牢固黏附在硅衬底上，并且具有优良的介质特性。硅片表面自然生成的氧化膜厚度最大为40?，而且不均匀，通常认为是一种污染物。;无定形SiO2、Si3N4、Al2O3性质比较;氧化膜的用途;器件保护和隔离 硅片表面上生长的二氧化硅可以作为一种有效阻挡层，用来隔离和保护硅表面有源器件免受其它因素的影响。 表面钝化 热生长的SiO2，一个主要优点是可以通过束缚硅的悬挂键。从而降低它的表面态密度，这种效果称为表面钝化，它能防止电性能退化并减少由潮湿、离子或其它外部沾污物引起的漏电流的通路。钝化对于控制结型器件的漏电流是非常重要的。;栅氧电介质 对于MOS技术中常用的重要栅氧结构（见下图），用极薄的氧化层做介质材料，一般通过热生长获得。要求具有高的电介质强度和高的电阻率、极好的膜厚均匀性、无杂质等。另外，任何可以使栅氧结构功能退化的沾污都必须严格加以控制。对于 0.18 μm 工艺，典型的栅氧厚度是20nm±1.5?。;掺杂阻挡 二氧化硅可做为硅表面选择性掺杂的有效掩蔽层(见下图)。与硅相比，掺杂物在SiO2里的移动较慢，所以只需要较薄的氧化层就可以阻挡掺杂物进入被保护的区域。 薄氧化层(如150?)也可以用于需要离子注入的区域 ，以减少注入对硅片表面的晶体损伤。还可以通过减小沟（管）道效应，获得对杂质注入时结深的控制（见第17章）。;实现掩蔽扩散的条件; 原则上讲，只要 满足上面不等式，就可起到杂质扩散的掩蔽作用，但实际上只有那些 的杂质，用SiO2掩蔽才有实用价值，否则所需的SiO2厚度就很厚，既难于制备，又不利于光刻。 但是，只要按照 的条件选择杂质种类，就可实现掩蔽扩散的作用。研究发现，B、P在SiO2中的扩散系数比在Si中的扩散系数小，所以,通常选择B、P作为扩散的杂质种类。而对于Ga、Al等杂质，情况则相反。 值得注意的是，Au虽然在SiO2中的扩散系数很小，但由于在Si中的扩散系数太大，这样以来横向扩散作用也大，所以也不能选用。;掩蔽扩散所需氧化层的最小厚度确定; 在扩散时要完全使杂质不扩入硅中是很难实现的(除非氧化层厚度非常厚)，通常就定义扩入硅中的杂质数量不足以引起硅表面电性能的变化，就认为氧化硅的掩蔽有效。对不同器件要求不同，一般来说，MOS器件要求比双极高。通常用下式表示 式中：NOB氧化硅与硅界面处的浓度；NOS氧化层表面处的浓度。; 显然，所要求的N0B不同，氧化层最小厚度就不同，通常人们根据大量实验研究，针对不同器件对硅表面的要求，总结出N0B/N0S的取直在10-3～10-9之间。 用上述结果作为估算，还必须知道杂质在氧化硅中的扩散系数(有关杂质在氧化硅中的扩散系数可查阅其它资料)。;SiO2中常用杂质的扩散常数;金属层间的介质层;表 10.1 氧化硅的应用: 自然氧化层;表 10.1 氧化硅的应用: 场氧化层;表 10.1 氧化硅的应用: 栅氧化层;表 10.1 氧化硅的应用: 阻挡层氧化;表 10.1 氧化硅的应用: 掺杂阻挡层;表 10.1 氧化硅的应用: 垫氧化层;表 10.1 氧化硅的应用: 注入屏蔽氧化层;Passivation layer;热氧化生长; 各种要求下的氧化物厚度范围  热生长氧化物的各种运用对厚度有不同的要求。表10.2总结了对不同要求二氧化硅厚度的范围。附录D中的彩色图表显示了二氧化硅颜色对应的不同厚度。;热氧化的化学反应;HCl;氧化层厚度 (mm);特点 氧化速率较慢，氧化物结构致密，表面是非极性 Si－O 烷结构；与光刻胶黏附能力良好，不易产生浮胶现象。 湿氧 当反应中有水汽参与，氧化反应速率会明显加快。其氧化反应式为： Si(固)+2H2O(水汽) SiO2(固)+2H2(气) 对于湿氧氧化，用携带水蒸气的氧气替代干氧作为氧化气体。在氧化过程中，湿氧反应会产生一层二氧化硅膜和氢气，氧化速率较干氧高，原因是水蒸气比氧气在二氧化硅中的扩散系数更快、溶解度更高。然而反应生成的氢分子会束缚在固态的二氧化硅层内，这使得氧化层的密度比干氧小。通常通过在惰性气氛中加热氧化来改善，以得到与干氧生长相类似的氧化膜结构和性能。;氧化过程中硅