射频ldmos功率晶体管的结构设计与实验分析-structural design and experimental analysis of rf ldmos power transistor.docxVIP

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2018-07-31 发布于上海
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射频ldmos功率晶体管的结构设计与实验分析-structural design and experimental analysis of rf ldmos power transistor.docx

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射频ldmos功率晶体管的结构设计与实验分析-structural design and experimental analysis of rf ldmos power transistor

摘要LDMOS(LateralDoubleDiffusedMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)器件最初作为微波双极型晶体管替代产品应用于基站，通过不断优化器件结构和工艺，器件各方面性能得到极大提高，现如今射频LDMOS器件已经成为众多射频功率应用领域主流技术。本论文旨在完成L波段射频LDMOS晶体管的结构设计与实验研究，特点在于采用具有双层shield场板的槽型sinker(trenchsinker)射频LDMOS结构。槽型sinker通过在源极刻蚀贯通外延层的沟槽并填充金属的方法来实现背面源结构，该工艺过程不仅减少了高能离子注入推结的热预算，而且有效减小器件面积；双层shield场板不仅可以优化器件表面电场，而且可以减小栅极与漏极之间的反馈电容，提高器件高频性能。本文首先采用半导体数值分析软件Silvaco优化出射频LDMOS器件的各项结构参数，然后根据仿真优化的结构参数设计出器件版图，并依托上海华虹宏力半导体制造有限公司的0.35μmRFLDMOS工艺平台进行流片实验。测试结果表明，器件阈值电压为2.1V，饱和电流密度为170mA/mm，击穿电压为120V，截止频率和最高振荡频率分别为5.5GHz和10GHz。在50V工作电压，1090MHz频点下，栅宽345mm单芯片器件的最大输出功率为362W，功率增益为15.6dB，漏极效率为38.1%，基本满足设计指标。关键词：射频LDMOS，槽型sinker，shield场板，击穿电压ABSTRACTLaterallydiffusedmetal-oxide-semiconductor(LDMOS)transistorswerefirstintroducedintotheradiofrequency(RF)powermarketasareplacementofbipolartransistorsforbase-stationapplications.TheRFperformanceofLDMOShasspectacularlyimprovedthroughceaselessprogressesofdevicestructureandprocessing.Today,LDMOSistheleadingtechnologyforawidevarietyofRFpowerapplications.ThedesignofstructureandtheinvestigationofexperimentoftheL-bandRFLDMOStransistorarestudied,whichemploysatrenchedsinkerLDMOSstructurewithdoubleshieldfieldplates.Thebacksidesourcewasachievedbytrenchetchingandrefilledwithmetal,whichnotonlyreducetheheatbudget,butalsoreducethechiparea.Thedoubleshieldstructuremanagestooptimizethesurfaceelectricfieldandreducethefeedbackcapacitorbetweengateanddrainatthesametime,thusimprovingtheRFcharacteristicsofthedevice.SemiconductornumericalsimulatorSlivacoisimplementedtooptimizethestructureparametersoftheRFLDMOSdevice.Thenthedevicelayoutisdesignedbasedontheoptimizedstructure,andthetapeoutexperimentisconductedinNEConthe0.35μmRFLDMOSprocessingline.TheexperimentalresultsdemonstratedtheRFLDMOSwith2.1Vthresholdvoltage,170mA/mmsaturationcurrent,120Vbreakdownvoltage,5.5GHzcut-offfrequencyand10GHzmaxoscillatorfrequency.Thesingletransistorwiththegatewidthof345mmworkingatthevoltageof50Vandthefrequencyof1090MHzprovidesamaximumpowerof362Wwithapowergainanddr