射频磁控溅射法制备cawo4eu3薄膜及其发光研究-preparation of cawo 4 eu 3 thin films by radio frequency magnetron sputtering and its luminescence study.docxVIP

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2018-07-31 发布于上海
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射频磁控溅射法制备cawo4eu3薄膜及其发光研究-preparation of cawo 4 eu 3 thin films by radio frequency magnetron sputtering and its luminescence study

摘要在现代照明领域中，白光LED逐步取代传统的照明方式，广泛应用于日常生活中。研究表明，CaWO4:Eu3+荧光粉不仅能被254nm的紫外光激发，而且还能被393nm的近紫外光和465nm的蓝光有效激发，其相应的激发波长与目前商用的紫外LED或者蓝光LED芯片相匹配，是一种发光性能稳定的红色荧光粉。发光薄膜与传统的荧光粉制成的显示器相比，在分辨率、对比度、均匀性、热传导性、释气速率、与基底的附着力等方面都具有较强的优越性。我们采用射频磁控溅射法在硅片上制备了CaWO4:Eu3+薄膜，主要得到以下结论：(1)采用传统的陶瓷工艺制备的Ca0.64WO4:Eu0.24陶瓷，相对密度只有87％左右；当烧结温度在1100℃以上时，Ca0.64WO4:Eu0.24陶瓷中存在两相，主相为四方相的CaWO4和单斜晶系Eu2WO6的析出相。(2)热处理温度对CaWO4:Eu3+薄膜的红光发光强度具有很大影响。随着热处理温度的升高，CaWO4:Eu3+薄膜的结晶度逐渐提高，CaWO4:Eu3+薄膜由非晶态逐渐转变为多晶态，薄膜的红光发光强度也相应增强。薄膜需在700-800℃热处理后才能强烈地表现出Eu3+离子的特征发光性能；最佳的热处理工艺条件为：800℃，保温3小时。(3)正交实验结果说明，当掺杂浓度较低时(2%)，对薄膜发光强度影响的强弱顺序依次为溅射气压、溅射功率和溅射时间，较高的溅射气压(1.0Pa)有利于提高薄膜的红光发光强度；当掺杂浓度较高时(24%)，影响的强弱顺序依次为溅射时间、溅射功率和溅射气压，较低的溅射气压(0.2Pa)有利于提高薄膜的红光发光强度。(4)光电子能谱(XPS)和X射线衍射(XRD)分析表明，样品表面主要为Eu，Ca，W和O；制备的CaWO4:Eu3+薄膜样品均具有是白钨矿结构，没有其他杂相。用220nm激发薄膜样品时，观察到CaWO4基质到Eu3+离子7D0→5Fj(j=0，1，2，3，4)之间的能量传递现象，其中最强处为5D0→7F2电偶极跃迁(616nm左右)。关键词：CaWO4:Eu3+；光致发光；射频磁控溅射IAbstractWhiteLED,whichiswidelyappliedinourdailylife,isreplacingthetraditionallightingmethodsinmodernlightingfield.ThestudiesshowedthatEu3+dopedCaWO4isakindofredphosphorwithstableluminescentpropertieswhichcouldbeexcitednotonlybyUVlight(254nm),butalsobynear-UV(393nm)andbluelight(465nm),withitsexcitedwavelengthmatcheswellwiththeUVLEDorblueLEDchipsappliedincommercial.Comparedwithpowderphosphors,thin-filmphosphorexhibitmoreexcellentpropertiesinresolution,contrastratio,coatinguniformity,thermalstability,lackofout-gassingproblemsandadhesiontosubstrate.CaWO4:Eu3+thinfilmshavebeendepositedonsiliconsubstratesbytheradiofrequency(RF)magnetronsputteringtechnique.Theresultsarelistedasfollows:Ca0.64WO4:Eu0.24ceramicswitharelativedensityof87%hasbeenpreparedusingthetraditionalceramictechnologies.XRDanalysisshowsthatthereexisttwophasesinCa0.64WO4:Eu0.24ceramicswhenthesinteringtemperatureisabove1100℃.ThemainphaseisthetetragonalCaWO4,andtheotheristhemonoclinicEu2WO6.Theintensitiesoftheluminescenceofthesesampleswillbeinfluencedgreatlybytheannealingtemperature.Itwasfoundthatcrystallizationincreasedwiththeincreasingofanne