闪速存储系统中纠错编码技术分析-analysis of error correction coding technology in flash memory system.docxVIP

下载本文档

8
0
约5.27万字
约 62页
2018-08-10 发布于上海
举报
版权申诉

闪速存储系统中纠错编码技术分析-analysis of error correction coding technology in flash memory system.docx

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

闪速存储系统中纠错编码技术分析-analysis of error correction coding technology in flash memory system

摘要 Nand Flash 是目前消费性电子产品中被广泛使用的元件之一。由于 Nand Flash 的物理机构特点，容易发生错误，如何保证数据的可靠性，成为一项重要的研究课题。采用纠错码(Error Correction Coding,ECC)的纠错控制技术是目前提高闪存数据可靠性的关键技术之一，而 BCH 码和低密度校验码 LDPC 码(Low-Density Parity-Check codes) 是目前被广泛应用在闪存上的纠错码。本文对 BCH 码和 LDPC 码在 Nand Flash 上的编译码技术进行了研究，对未来高性能纠错码码纠错芯片有着重要的意义。本文的主要工作概括为： 1. 概述了 Nand Flash 基本结构和传统的闪存存储技术，详细分析了 Nand Flash 错误机制和错误衡量标准，并阐述了闪存的基本纠错机制。 2. 深入研究了 BCH 编译码思想和构造方法，探讨了闪存电压概率分布，将闪存电压状态作为 BCH 硬判决算法输入信息进行译码，用 BCH 译码算法改善闪存数据可靠性问题，并通过仿真分析了 BCH 码对 Nand Flash 可靠性的改进。 3. 深入研究了 LDPC 码软判决最小和译码算法，该算法可以有效地利用闪存 LLR 信息来提高闪存系统的译码性能，通过仿真表明该算法有效的提高了闪速存储系统数据的可靠性，同时由于该算法的复杂度相对较小，对 Nand Flash 的读写速度也有一定程度的提高。关键词：纠错码 LDPC 码 BCH 码可靠性复杂度 Abstract Nand Flash is one of the components which are widely used in consumer electronic products.However, it’s prone to errors because of its physical structure,thus how to guarantee the reliability of data is one important topic.So Error Correct Control which depends on Error Correcting Code is one of the keys to improve data reliability,and BCH and LDPC are used in the error control of Nand Flash. This paper mainly focuses on the encoding and decoding technology of BCH code and LDPC code in Nand Flash, which is of greate significance for future high-performance error corrcection chip.The main content in the paper is as follows: The architectures of Nand Flash and the conventional Flash Technology are illuminated, the failure mechanisms and measures of Nand Flash are analyzed in detail, and the basic approaches against flash failures are studied. The encoding and decoding ideas of BCH code are stuied in detail, the threshold-voltage distributions are studied, and the cell voltage is used as the input of hard-decision algorithm for BCH code. The decoding algorithm of BCH code is used to improve the data reliability of Nand Flash, and analyse the efficience through simulating. The min-sum decoding algorithm of LDPC code is studied in detail, which can improve the decoding performance by using the