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IGBT用AlSiC复合材料制备研究 　　摘 要：本文采用干粉模压成型法制备SiC多孔预制坯，真空压力渗铝法制备大尺寸IGBT用AlSiC复合材料。研究了SiC多孔预制坯制备过程中粘结剂种类和用量对预制坯孔隙率的影响。结果表明采用4%的PVA有机粘结剂与无机粘结剂混合造粒，经模压成型和烧结后可得到孔隙率为41%左右的SiC多孔预制坯。采用不同孔隙率的SiC预制坯制备的AlSiC复合材料的热物理性能有所不同，说明可通过控制SiC预制坯的孔隙率从而得到满足IGBT要求的AlSiC复合材料。 　　关健词：高体积分数AlSiC；复合材料；模压成型；真空压力渗铝 　　1 前言 　　随着电力电子的高速发展，对其元器件的性能要求和可靠性要求也越来越高。IGBT是电力电子最重要的核心功率器件之一。自问世以来，因其易操作性和稳定性，其应用领域不断扩展，目前已在家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网中广泛应用[1， 2]。然而，随着电力电子元器件荷载密度的增加，同时兼具高导热和低热膨胀系数的热沉基板成为了决定IGBT模块最重要的部分[3， 4]。基于铜和铜合金的热沉基板的高热膨胀系数、高密度和昂贵的价格，已经无法满足如今电力电子模块的发展需求[5]。 　　为了解决这一问题，以金属铝或铝合金为基体，SiC颗粒为增强材料的新型复合材料――AlSiC复合材料应运而生。根据其SiC颗粒的体积分数，可将AlSiC分为高体积分数，中体积分数和低体积分数复合材料。其中，高体积分数AlSiC复合材料（SiC颗粒体积分数不小于35%），具有热导率高（170 W/（m?K））、热膨胀系数可调（6.5 ～ 12.5 × 10-6 /K）、比强度和比刚度高、密度低、耐磨、耐疲劳以及尺寸稳定性良好等优异的热物理性能和机械力学性能，可满足IGBT中其他元器件的要求，最大程度地避免因散热不良而引起的热失效[6-9]。高体积分数AlSiC复合材料的制备方法已日趋成熟，按是否需要成型碳化硅多孔预制坯可分为直接成型法和液相浸渗法，其中直接成型法主要包括粉末冶金法、搅拌铸造法、喷射沉积法和放电等离子烧结法[10]，而液相浸渗法则主要为挤压铸造法、气压浸渗法和无压浸渗法[11]。直接成型法工艺简单，设备少，生产效率高，易于实现规模化生产。但是通过直接成型法制备的大尺寸高体积分数AlSiC复合材料容易产生气孔，增加界面电阻，对复合材料的气密性和热物理性能产生负面影响[12-15]。液相浸渗法制备高体积分数AlSiC复合材料制品的工艺分为两步，分别是SiC多孔预制坯的制备、熔融铝液浸渗填充预制坯制备复合材料。预制坯成型主要有三种工艺，分别是：粉末注射成型工艺[9、16]、凝胶注模成型工艺[17]和干粉模压成型工艺[16]。熔融铝液浸渗SiC预制坯主要有挤压铸造[15、18、19]、气压浸渗[20， 21]和无压浸渗三种方法[22]。 　　我国从20世纪初开始了AlSiC复合材料的研究，但一直处于实验室研究阶段，尚未能实现大规模产业化生产。目前AlSiC的用户主要包括中车集团、比亚迪、江淮动力、天津恒天、上汽、奇瑞、吉利、启辰晨风等厂家以及一些LED厂商和军工电子厂商，而生产大功率IGBT的基板材料AlSiC复合材料均依靠进口。本文采用干粉模压成型SiC多孔预制坯和真空压力渗铝的方法制备128 × 136 × 5 mm的IGBT用AlSiC复合材料，主要研究了粘结剂种类和粘结剂用量对SiC多孔预制坯孔隙率的影响，并制备了不同SiC含量的AlSiC复合材料，测试了其热物理性能。 　　2 实验材料与方法 　　2.1 实验材料 　　碳化硅（SiC）由淄博道新磨料磨具有限公司提供，聚乙烯醇（[C2H4O]n），甲基纤维素，乙基纤维素（[C6H7O2（OC2H5）3]n）购于天津市科密欧化学试剂有限公司，丙三醇（C3H8O3）购于湖南汇虹试剂有限公司，无水乙醇（C2H6O）购于天津市恒兴化学试剂制造有限公司，丙酮（C3H6O）湖南省株洲市化学工业研究所，硅酸钠（Na2SiO3），株洲兴隆新材料有限公司。铝合金和99.9%氮气均为市售，铝合金的化学成分如表1所示。 　　2.2 试验方法 　　本研究以绿碳化硅微粉为原料，采用挤压造粒、模压成型的方法制备SiC多孔预制坯，真空压力渗铝法制备AlSiC复合材料。其制备流程图如图1所示。 　　首先称取一定量的SiC微粉、水和10%粘结剂混料，挤压造粒，烘干后过60目筛备用；将前述制备的颗粒在液压机上成型，制备SiC多孔素坯备用；将前述制备的SiC多孔素坯于105℃干燥24 h后再在马弗炉中烧结8 h，随炉冷却，得到具备一定强度和孔隙率的SiC多孔预制坯。随后，将碳化硅多孔预制坯装模后送入真空压力渗铝炉中，抽真空并加热保温加压