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SOI和体硅集成电路工艺平台互补问题探讨 　　摘要：本文讨论的SOI（Silicon On Insulator）是BESOI(Bonding and Etch back SOI)，由于在SOI材料上制造的集成电路（IC）和常规的体硅IC相比在性能上有许多优点，因此很有发展前途。目前SOI材料的性能和体硅相比确有一些差距，其主要原因是SOI的缺陷密度需进一步降低；但是有些质量问题要进行具体分析；例如工艺中不受控的重金属杂质集中在SOI区内无法泄漏；空气中硼（B）杂质污染硅片引起电阻率的变化；衬底的硅片是直拉单晶，其高浓度氧（O）杂质在高温时外扩散到SOI中引起SOI中O浓度提高等；这些问题的起因主要是由于各种杂质在硅中和二氧化硅中扩散系数不同所引起的，这些问题的解决有的需要二个工艺平台的互补，即需要相互配合使SOI IC的质量不断提高；本文将这些杂质产生的原因，影响和改进方法作初步探讨。 　　 　　 SOI IC由于其寄生效应小，功耗减小，速度高，抗辐射能力强以及消除了闭锁效应等优点受到了IC生产厂家的关注，因此SOI的材料受到重视；为了方便起见，本文讨论的BESOI结构如图1所示，其主要特点是SiO2和支撑硅片的键合面，即下界面不在SOI内； 大家知道，尽管SOI IC和常规的体硅 IC相比有许多的优点，但是在一些工艺上和体硅IC工艺有一些矛盾，例如BESOI的独特问题对于减少金属杂质的污染问题无能为力；常规的体硅 IC没有的B（硼）污染问题，但是BESOI的材料上由于空气的影响发生了B污染问题；还有O（氧）综合利用的问题，防止衬底的O对制造有源区的SOI区可能的污染。这些问题的主要原因是杂质的扩散系数由量变到质变的区别所引起的。人们在制造PN结时，利用了慢扩散杂质的扩散速度慢，工艺上较易控制的特点，同时利用它们在二氧化硅中扩散更慢的所谓氧化层掩蔽效应，发展成功了平面工艺技术；但是另外一些所不希望的杂质其固有的扩散系数也需要引起重视，例如重金属杂质在硅中扩散非常快，但是在氧化层中又和慢扩散杂质的速度基本一样变成非常的慢；O具有双重性，在图1的支撑硅片中需要一定O含量，有利于硅片强度和吸附重金属杂质，但是SOI中则希望O浓度尽量减少，由于O在氧化层中扩散速度比在硅中的大以及O的外扩散特性，人们无法限制支撑硅片中的O在高温时进入SOI；所有的这些问题均可能影响产品的性能和合格率，同时应该明确，所谓的解决这些问题仅仅是减少了――但决不是消除了这些问题，其目的是使SOI产品性能符合大生产的要求，合格率能够稳定的不断的提高。 　　 　　1、重金属杂质污染和IC制造工艺中 　　介质隔离工艺的互补 　　 　　在IC制造时为了全程监控工艺，在硅片上制造了许多不同的测试图形，通常称为PCM（Process Controll Module）,其中一种是MOS结构，即图2中Al -SiO2 -SOI结构；同时为了判断是SOI材料的问题还是IC工艺本身的问题，一般是SOI材料和体硅材料同时投料，工艺完成后同时测试MOS结构击穿电压，判断氧化层的质量；统计结果发现有时发生SOI上的击穿电压明显的比体硅上的差；因此，人们自然的怀疑SOI材料的质量是否有问题？ 　　众所周知，MOS结构是一种判断硅与二氧化硅界面质量的基本工具；美国学者，实业家格罗夫[1]在上世纪60年代出版的书中说“表面场效应晶体管的原理可以追溯到本世纪30年代早期，当时美国的…英国的…就建议利用表面场效应获得一种固态放大器。后来在40年代后期，贝尔实验室的研究组曾积极地进行这方面的研究工作。那时多少有点偶然发现了双极晶体管…随着热氧化硅的出现，制造表面场效应管条件更成熟了。1960年…利用热氧化硅开展了极为紧张的研究工作…事实上，在集成电路的许多应用中，MOS晶体管最终可能占据首位。” 到了70年代CMOS IC终于占据主导地位；目前，MOS IC的产值已经占到IC产值的90%，在此主要的不是想说明格罗夫的预言是如何的正确， 而是要强调成果来之不易，尽管理论上早就成熟但是转化成大生产是多么的艰难，而稳定的大生产更需要必要的监控手段。因此MOS结构的测试确是监控氧化层质量的一种有效工具，更主要的是它仍然是定期（例如每周一次）测试MOS结构的C-V特性（电容- 电压）进行监控氧化炉管质量的有效手段，它根据平带电压VFB，判断工艺和氧化炉管的质量，不同的是根据市场需要产品尺寸不断缩小，对VFB的数值要求更为严格些[2] [3]；同时测试B-T（偏压- 温度），获得平带电压的变化ΔV FB ，判断可动离子的值是否符合规范。经过了几十年的历程，即使到了本世纪，不少文章仍然采用 C-V特性的数据[4]，[5]。因此，在大生产中根据MOS结构测试氧化层击穿电压是完全必要的。