SRAM LDD版图优化及智能实现方案.docVIP

SRAM LDD版图优化及智能实现方案 　　【摘 要】静态随机存取存储器SRAM面积缩小、尤其是其高度方向缩小的影响因素复杂，受限于多个工艺窗口决定的版图规范。以往研究多侧重线宽小的关键层，漏区轻掺杂LDD的影响至关重要却鲜有研究。本文通过对LDD阴影效应、打穿效应的研究，提出其版图优化方案，实现SRAM高度、工艺窗口、器件性能的优化平衡。 　　【关键词】SRAM LDD 阴影效应 打穿效应 　　1 引言 　　SRAM高性能但集成度低。随着芯片技术向更小线宽发展，SRAM性能的稳定性日益引起设计及测试人员的专注[1-3]，减小面积、增大工艺窗口、保证高性能间的矛盾日显突出。以往研究多侧重线宽小、光刻难度大的关键层，如针对有源区，闸极，栓塞等层次 “手工定制”OPC。 　　本文针对以往研究鲜有涉及的LDD层提出针对SRAM的版图优化及智能实现方案，以在版图日益缩小的趋势中实现性能与工艺窗口的平衡。 　　2 SRAM高度限制因素及LDD版图的重要性 　　以最常用的6T CMOS SRAM为例，其cell主要由4个NMOS、2个PMOS组成。如图1所示：其宽度（X）方向上与高度（Y）方向上的最小值决定了最小面积。Y方向包含了NMOS、PMOS两种不同类型的器件，与X相比其缩小更难。 　　图 1：6T SRAM cell Mirrow bits版图示例 　　多因素制约了Y的最小值，诸如：（1）金属布线；（2）闸极栓塞到有源区的距离；（3）阱与有源区的包裹及距离；（4）阱间隔离； （5）源漏极的离子注入层（源漏极重掺杂plus包括N+、P+；与漏区轻掺杂LDD包括NLDD， PLDD）与有源区的包裹及距离等要求。如执行相同于逻辑电路的版图规范，鉴于SRAM array的重复性规则形状，会使光刻工艺窗口出现冗余，利用这些冗余可以减小上述（1）-（3）等与光刻工艺窗口强相关的因素，得到更小Y值。对于离子注入层，除光刻步骤，其注入的能量、浓度、角度等影响更大，如图1把Y方向上相邻的cell的PMOS、NMOS分别以镜面对称的版图放在一起，可以很好地解决（4）的难题。就此（5）成为决定Y值的关键。通常倾斜角度的LDD注入比无倾角的plus注入影响更大。 　　LDD结构，即在沟道中靠近漏极的附近设置一个低掺杂的漏区，使低掺杂的漏区承受部分电压，从而有效防止热电子退化效应，目前已经成为MOS的基本结构。具体工艺通常是在闸极形成后进行LDD注入，再在闸极侧壁形成绝缘侧墙后进行plus注入。LDD注入工艺常采用Tilt/twist方式进行。Tilt注入即离子束与晶片轴成一定的倾斜角度，必然产生注入的阴影效应、打穿效应。阴影效应即器件在某些方向处于有一定高度的LDD光阻、闸极膜的阴影区而被阻挡注入。以图1为例Y方向上的阴影效应主要来自LDD光阻。Twist是为了克服tilt阴影效应产生的配合方式：与晶片轴保持tilt角度在多个方向注入（常见4个对称方向）。两者配合保证了芯片中方向不同器件LDD注入的均匀性。如图2所示，在光阻膜厚一定的情况下，可以通过拉大器件间的距离克服阴影效应、打穿效应的负面影响。光阻界面与需要注入的器件之间的距离a足够大，就可以保证足够的注入量打入；由于LDD注入能量低、深度浅，光阻界面与不需要注入器件包裹距离b足够大，就可以保证离子打穿光阻边界注入的部分完全处于STI上，对器件不产生影响。但大a、b当然也意味大的Y值，这与不断缩小趋势相悖。事实上，伴随着线宽愈小的趋势，LDD注入由于其阴影效应、打穿效应无法跟上这样的步伐，日益成为制约Y减小的决定性因素。 　　图 2 LDD离子注入剖面示意图及阴影相应，打穿效应放大图 　　3 SRAM LDD版图优化方案描述 　　LDD注入工艺过程简述如下：NLDD光阻盖住PMOS，只对NMOS区域进行NLDD注入；PLDD光阻盖住NMOS，只对PMOS区域进行PLDD注入。 　　为提出SRAM LDD版图优化方案，先研究阴影效应、打穿效应对版图的影响。下文以NLDD为例推导计算公式。首先设定计算中的字母代号：NLDD的光阻厚度-T；tilt角度-θ；twist角度-；能量-E，其在光阻中能够打穿的距离Projected range-L，Sigma-S，包含S的影响，光阻中能够打穿的总距离-A。n取决于计算包含几个S，取值越大，阴影、打穿效应影响越小，计算越保守。 　　公式 1 　　考虑到光刻过程控制偏差，需考虑以下因素变化的影响：CDN-NLDD线宽变化；CDA-有源区线宽变化；AAN-A-NLDD层与有源区层对准偏差变化。以P表示这些因素系统偏差的可控范围，则： 　　公式 2 　　阴影效应对器件性能影响巨大，LDD完全不受遮挡所要求的最小值为a。当θ、、P一