SOI横向功率器件中的二维场板理论研究-电路与系统专业论文.docxVIP

南京邮电大学 硕士学位论文摘要 学 科、专 业 ： 工 学 电路与系统 研 究 方 向 ： VLSI 系统设计 作 者： 2009 级 研究生 钟大伟 指导老师： 郭宇锋 教授 题 目： SOI 横向功率器件中的二维场板理论研究 英文题目： Theoretical research on 2-D field plates in the SOI lateral power devices 主 题 词： 绝缘体上硅；降低表面电场；场板；电场分布；模型 Keywords: SOI; RESURF; field plate; electric field distribution; model 南京邮电大学硕士研究生学位论文摘要 南京邮电大学硕士研究生学位论文 摘要 I I 摘 要 场板技术作为一种实用的结终端技术，因其所占面积小、制造工艺简单等优点，在功 率 MOS 器件、高压集成电路和智能功率集成电路中得到了广泛的应用。将场板技术运用 于 SOI 横向功率器件中，不仅利用了 SOI 技术隔离性能好、漏电小、功耗低、速度快、抗 辐射等自有优势，而且可以有效改善器件表面电场分布，从而大大提高器件耐压特性。研 究发现，不同结构的场板对表面电场分布的改善能力不同，故而建立不同场板结构 SOI 横 向功率器件沿漂移区表面势场分布的解析模型对进一步弄清场板对表面势场分布的影响 以及深入研究场板 SOI 横向功率器件的耐压机理具有重要意义。本文基于二维 Possion 方 程，建立了较为完备的 SOI 横向功率器件二维场板理论，主要包括普通金属场板、阶梯场 板和浮空场板 SOI 横向功率器件表面势场分布的解析建模及其分布特性的深入研究。 1. 普通场板 SOI 横向功率器件表面势场分布解析模型及其特性研究。首先，分别建立 了栅场板结构和漏场板结构 SOI RESURF LDMOS 沿漂移区表面势场分布的解析模型，着 重分析了不同外加偏压下出现的不同耗尽情形，针对不同耗尽情形建立了统一的势场分布 解析式。利用半导体器件仿真工具 Silvaco 对模型的准确性进行了论证，并分别探讨了栅 场板和漏场板结构参数对表面势场分布以及漂移区耗尽的影响。最后，在综合前面分析的 基础上，建立了一个栅漏场板联合作用下 SOI 横向功率器件表面势场分布的全域解析模型， 通过 Silvaco 仿真发现模型吻合良好。 2. 阶梯场板 SOI 横向功率器件表面势场分布解析模型及其特性研究。分别建立了全耗 尽情况下 n 阶栅场板结构和 n 阶漏场板结构 SOI 横向功率器件表面势场分布的解析模型。 利用 Silvaco 对模型的精准性进行了论证，并研究了场板阶数的变化对表面势场分布的影 响。最后，建立了任意阶栅漏阶梯场板结构 SOI 横向功率器件表面势场分布的解析模型， 为进一步分析阶梯场板结构 SOI 横向功率器件的耐压机理提供了理论上的指导。 3. 浮空场板 SOI 横向功率器件表面势场分布解析模型及其特性研究。分别建立了全耗 尽情况下单浮空场板和多浮空场板 SOI 横向功率器件表面势场分布的解析模型。浮空场板 结构解析模型建立的难点在于浮空场板上偏置电压的难以确定，本文通过比较有无浮空场 板时场氧中电场分布曲线，给出了一个确定浮空场板偏置电压的近似解析式，在此基础上 建立起来的浮空场板解析模型与半导体器件仿真工具 Silvaco 的仿真结果能够很好地吻合， 从而验证了模型的准确性。 关键词：绝缘衬底上硅，降低表面电场，场板，电场分布，模型 南京邮电大学硕士研究生学位论文ABS 南京邮电大学硕士研究生学位论文 ABSTRACT II II ABSTRACT As a practical junction termination techonology, field plate(FP) has been widely used in power MOSFET, HVIC and SPIC with the merits of small occupied area, simple manufacturing process and so on. While field plate is applied to SOI lateral power devices, not only are the advantages of SOI technology such as improved isolation, reduced leakage current, low power dissipation, high speed performance, and perfect irradiation hardness used,