TiAl合金与Ti合金的扩散连接与高温力学性能研究-材料物理与化学专业论文.docxVIP

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TiAl合金与Ti合金的扩散连接与高温力学性能研究-材料物理与化学专业论文

I I 摘 要 γ-TiAl 基合金具有较低的密度和良好的高温性能,是一种极具应用前景的高 温结构材料,对 γ-TiAl 基合金间以及与其它金属的连接性能的研究,对促进该合 金的实用化以及发挥该合金的性能优势具有十分重要的意义。本文采用一种新的 扩散连接方法(简称 LMS),对γ-TiAl 基合金与 Ti-6Al-4V 合金连接性能进行了 研究,该方法是在γ-TiAl 基合金与 Ti-6Al-4V 合金拟连接表面进行激光快凝处理, 得到细晶组织,从而实现了这两种合金在 900℃/80MPa/2h 的条件下高质量连接, 其连接件的抗弯强度达到了 TiAl 基底材料的 92.9%,在充分了解连接件的界面组 织和扩散连接机理的基础上,着重研究了该连接件的高温力学性能,特别是其蠕 变性能,对连接层组织对连接件的高温强度、蠕变抗力以及断裂机理等进行了系 统研究,并将其结果与未经激光处理连接面的γ-TiAl 与 Ti-6Al-4V 合金的扩散连 接(简称 NLMS)进行了对比。研究结果表明,LMS 试件与 NLMS 试件在 400℃ 和 600℃拉伸断裂强度均低于 TiAl 合金基体的在相应温度下的强度。在 400℃时, LMS 连接件的强度高于 NLMS 连接件,但在 600℃时,两者的高温强度差别不大。 LMS 连接件与 NLMS 连接件在 400℃和 600℃条件下的断裂主要发生在连接界面 附近,其断裂模式强烈取决于变形温度,在 600℃条件下的连接件的变形机制主 要为晶界滑移机制,LMS 连接件在 600℃条件下表现出来的比 NLMS 连接件更高 的高温强度,可以归结为该连接件在相同连接工艺条件获得的良好的冶金结合。 在 500-600℃温度范围内连接件的蠕变变形主要集中在 Ti 合金基体中,蠕变过程 受位错攀机制控制,而且 LMS 连接件的抗蠕变能力要高于 NLMS 连接件,但略 低于 Ti 合金基体的蠕变强度,两种连接件的蠕变断裂主要发生在界面上或界面附 近,连接界面在蠕变过程中是蠕变强度最弱的地方,界面的强度和断裂机理决定 了连接件的蠕变寿命。因此,LMS 扩散连接方法是一种很有效固态连接方法。 关键词: 钛铝合金;激光表面处理;扩散连接;蠕变性能 II II ABSTRACT γ-TiAl alloys exhibit low density, excellent properties at high temperatures, which are one of the most promising materials for high temperature application. Understanding the bonding behaviors of the alloys with themselves and with other alloys is helpful to their applications. In this thesis, a new diffusion bonding approach (named LMS) was introduced to the bond between TiAl and Ti6Al4V. In this approach, laser rapid solidification surface modification was first conducted on the pre-bonding surfaces of γ-TiAl and Ti alloys. With this method, a sound bond was achieved at the diffusion conditions of 900℃/80MPa/2h. The bend strength of the joint achieves 92.9% of the strength of TiAl matrix. On the basis of understanding of the microstructure of bond interface and bonding mechanisms, the mechanical properties at high temperatures, especially creep behavior, of the joint obtained by LMS was investigated, comparing with that of the joints obtained at same diffusion bondingcondtions by the normal diffusion method without laser s

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