SOI基太阳能电池制备与性能增强研究-光学工程专业论文.docxVIP

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SOI基太阳能电池制备与性能增强研究-光学工程专业论文

I I 摘要 摘 要 太阳能电池直接将光能转化成电能,是一种对环境友好的清洁可再生能源, 其研发对改善生态环境、促进低碳经济的发展乃至人类的生产生活具有重要的意 义。本论文结合当前太阳电池的研究现状,开发一种新型硅基薄膜太阳能电池, 并讨论分析其制备工艺,且初步对其进行吸收增强研究,为发展新一代高效太阳 能电池技术提供基础。 首先,针对传统太阳电池的结构进行了理论分析,分析了影响电池转换效率 的两种因素:光学损失和电学损失。针对光学损失,其一可采用陷光结构,如湿 法刻蚀出的金字塔陷光结构,使入射光在大角度范围内发生散射,从而在电池内 部获得多次反射,延长有效光程,增加吸收层对入射光的吸收;其二为避免传统电 池上电极材料的覆盖面积对入射光的遮挡影响,研究将其转移到背部制备叉指电 极,并分析对电池性能的影响;针对电学损失,分析了掺杂浓度对其转换效率以 及开路电压的影响,设计出一种新型的全背接触叉指电极电池结构。 其次,探索 KOH(氢氧化钾)溶液对硅的深刻蚀工艺,分析比较了不同温度以 及不同浓度下的硅刻蚀速率,优化出适合硅深刻蚀的工艺条件,为硅深刻蚀提供 合适的工艺参数。另外比较分析了不同刻蚀时间下的硅表面形貌,获得这些参数 对硅表面刻蚀形貌的影响规律,并在硅表面制备金字塔陷光结构,为在电池受光 面制备金字塔陷光结构做准备。 再次,开展 SOI(Silicon-On-Insulator,绝缘衬底上的硅)硅薄膜太阳能电池的工 艺研究。研究探索了半导体制作工艺:高温氧化、热扩散、光刻、离子注入、淀 积(蒸发镀膜)和刻蚀等不同的工艺条件所达到的精度,确定了制备全背接触式电池 所需的工艺条件,并进一步制备了全背接触式太阳电池。 最后,初步开展了 SOI 硅基薄膜电池吸收增强的研究,分别分析氮化硅增透 膜与金字塔陷光结构的减反射机理,分别制备了平板全背接触式太阳电池以及具 有氮化硅增透膜与金字塔陷光结构的两种全背接触式太阳能电池,对其进行测试 比较,进一步分析其减反射性能。 关键词:硅太阳能电池;全背式电极;减反射;纳米结构 II II ABSTRACT ABSTRACT Solar energy is an environmentally friendly, clean, and renewable energy. Solar photovoltaic cells convert light energy directly into electricity energy, and its development is of great significance to improve the ecological environment and promote the development of low-carbon economy as well as the production of human life. In this thesis, we discussed the current status of the solar cells, and proposed a new type of SOI-based thin-film solar cells. We explored its fabrication process and its absorption enhancement which shed some lights for developing next generation solar cell technology. Firstly, the traditional solar cell structure was theoretically analyzed from two aspects: the optical loss and electrical loss. For optical loss, light trapping structures can be used, such as wet-etched pyramid, by which incident light is scattered in a wide range of angles obtaining multiple reflections inside the cells to extend the effective optical path, thereby increasing light absorption. On the other hand, in order to avoid the cell electrodes blocking the incident light, both electrodes are

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