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ZigBee频率综合器的设计与分析-微电子学与固体电子学专业论文.docx

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ZigBee频率综合器的设计与分析-微电子学与固体电子学专业论文

摘 摘 要 万方数据 万方数据 万方数据 万方数据 摘 要 ZigBee 是一种新兴的无线通信技术,由于具有低功耗,低成本,组网规模大 等技术优点,在短距离的无线传感网络中得到了广泛的应用,基于 ZigBee 协议的 射频收发机逐渐成为研究热点。本文对 2.4GHz 全集成 ZigBee 射频收发系统中频 率综合器进行了设计与研究。 本文首先讨论了频率综合技术和锁相环型频率综合器的线性化模型,并对相 位噪声优化做了简要分析。结合 ZigBee 协议规范,确定频率综合器的设计指标。 论文着重分析了宽带电感电容压控振荡器的设计,阐述了片上平面螺旋电感的设 计考虑,对可变电容做了简要介绍。对于宽带 LC 压控振荡器,为了降低振荡器 的相位噪声,设计调谐电容阵列,将输出信号频率调谐范围划分为多个子频带; 为抑制电源噪声扰动的影响,采用片内低压差线性稳压器提供电源电压。同时为 保证输出振幅的稳定,设计电阻偏置阵列作为尾电流源并介绍了自动幅度校准方 法。结合系统指标要求,设计了整数型分频器电路,重点介绍了基于相位选择器 的高速双模预分频器的设计,介绍了抑制相位切换时毛刺信号的优化方法。设计 电路在 TSMC 0.18μm CMOS 工艺下进行了仿真分析以及版图绘制:压控振荡器 电源电压 1.8V,核心电路功耗 1.68mW,输出信号频率范围 4.46GHz~5.5GHz, 子频带压控增益约 60MHz/V,输出信号摆幅约 810mV,相位噪声-114.1dBc/Hz @1MHz,分频器实现了系统要求的 32/32.5 双模分频,仿真结果表明设计电路符 合系统要求。 关键字:ZigBee 射频收发机 频率综合器 宽带 LC 压控振荡器 Ab Abstract 万方数据 万方数据 万方数据 万方数据 Abstract As a new kind of wireless communication technology, ZigBee is widely used in short distance communication with the low power, low cost and large network size etc. advantages. RF transceiver Based on ZigBee is becoming research hotshot. The paper mainly concerns in the design and research of frequency synthesizer in 2.4GHz ZigBee RF transceiver. Frequency synthesis technique and linearized model of PLL frequency synthesizer are firstly described, then some ways decreasing phase noise are gave. Combining with ZigBee protocol, we determine performance index of designed frequency synthesizer. This paper pays more attention to the design of wideband LC voltage controlled oscillator. Discussion of integrated spiral inductor and variable capacitor is presented in detail. For wideband VCO, design capacitor array dividing wide tuning range into multiple narrow sub-band to decrease phase noise. To restrain power interference, take internal LDO as power supply. To stabilize the output amplitude, resistor array is designed for bias and give the auto amplitude control method. At the same time integer-N divider is proposed and mainly focus on high-speed, dual-modulus prescaler. The circuit is implemented in TSMC 0.18μm CMOS

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