ZnO薄膜晶体管的模型与分析-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

摘要 摘要 摘要 氧化锌薄膜晶体管由于具有良好的透明性、导电性以及低温生长和高迁移率 的材料而受到广泛关注，成为下一代透明显示器件的有力竞争者。由于制备工艺 及温度限制，目前的氧化锌薄膜晶体管沟道层为多晶晶态，严重的影响着器件性 能，也限制了其应用范围。而针对氧化锌多晶沟道与电性能改善的理论研究与分 析尚处于初步阶段。 本文针对多晶氧化锌薄膜晶体管提出一种缺陷态密度模型。该模型考虑了多 晶材料晶界处按指数分布的带尾态缺陷态和能带中央按高斯分布的深能级缺陷态 浓度，经过验证，理论与实验数据吻合。该模型能够很好的描述多晶氧化锌薄膜 晶体管的性能，并分析了带尾态缺陷态和深能级缺陷态对其性能的影响。 在模型的基础上，针对 ZnO TFT 的栅介质结构进行改善，采用高 K 介质 HfO2， 同时考虑到界面接触特性，在 HfO2 两侧引入夹层介质，结果形成了 SiO2/HfO2/SiO2 三层介质结构；对三层栅介质结构进一步改善，产生了 SiO2/HfO2/Al2O2 结构。然 后，本文又对器件的有源层进行改变，引入了 ITO/ZnO 双层沟道结构，从而使器 件性能又得到提升。 本文通过 SIVALCO 仿真器对典型结构和新型结构的电学特性进行仿真，对比 其仿真结果，最终确认了新型结构使器件具有更加陡峭的亚阈斜率、较小的阈值 电压以及增强的电流驱动能力等优良特性。对沟道中电子浓度分布及能带分布进 行理论分析，研究新型结构特性改善的机理。最后，比较不同 ITO 薄膜厚度对器 件特性的影响并确定最优的 ITO 薄膜厚度。 关键词：氧化锌 薄膜晶体管 高 K 介质 双层沟道 新结构 摘要 摘要 Abs Abstract Abs Abstract Abstract Due to the high transparency, conductivity, electron mobility and low preparation temperature, ZnO TFT has been the stronger competitor of the next generation active matrix liquid crystal display (AMLCD). The channel of ZnO TFT is polycrystalline which limited the device characteristics and application. The theoretical investigation and analysis of improvement in the polycrystalline channel and electrical performance is at the initial stage. The defect density of states model in a polycrystalline ZnO thin film transistor is proposed in the paper. The model considered exponential distribution band tail states and Gaussian distribution deep level states in the grain boundary and we found it could reproduces well the characteristics of polycrystalline ZnO TFT by fitting the simulation and experiment results. Furthermore, using the developed model, we study the effects of tail states and deep level states on the electrical performances of the polycrystalline ZnO TFT. Based on our proposed model, at first, this paper tries to change the structure of the gate insulator. On one hand, high K dielectric is proposed into the device, this paper uses the Hafnium Oxide (HfO2) material; on the other hand, taking the interfacial contact characteristics into a