多层厚GEMM-THGEM研制-IndicoIHEP.PDF

多层厚GEM （M-THGEM ）研制 谢宇广、彭志远、李更兰 2018-4-26 2018年核探测与核电子学国家重点实验室年会 1 内容提要 • 厚GEM研究 • 多层厚GEM介绍 • M-THGEM研制 • M-THGEM性能测试 • 总结 2018-4-26 2018年核探测与核电子学国家重点实验室年会 2 厚GEM研究 THGEM是重要的微结构气体探测器之一，在国内我们已实现厚GEM的工业化和 产品化，创新建立了成熟生产工艺，规格种类丰富，性能优越，围绕应用需求拓展 了以下发展方向： 50×50 100×100 200×200 mm^2 300×300 400×400 低中子吸收 500×1000 500×500 低放射本底 新基材 大面积 THGEM 应用 高分辨 新结构 本征分辨=200um 3 新结构厚GEM 阻性厚GEM-R-THGEM 井型厚GEM-W-THGEM Groove厚GEM-G-THGEM 多层厚GEM-M-THGEM … 不同结构类型的厚GEM 2018-4-26 2018年核探测与核电子学国家重点实验室年会 4 多层厚GEM简介 多层厚GEM (即Multi-layer Thick Gaseous Electron Multiplier, M- THGEM)，它的设计灵感来自于多层级联的THGEM/GEM探测器，其外观与普通厚GEMZ 非常相似，仅能从导电引脚进行区分。 M-THGEM的核心是在单片厚GEM膜上实现连续多层雪崩倍增，对比级联结构， 其优点在于：  减少电荷损失；级联结构的THGEM膜微孔中产生的雪崩电荷相当一部分损失 在该膜的下表面电极和下层级联THGEM的上面电极，相反M-THGEM可以将一个 阶段产生的所有电荷无损地传输到下一个倍增阶段。  结构紧凑，单膜厚度增加，不易变形，容易做到大面积覆盖。  各层孔与环的同心度高，避免了对位及各层平行度等影响增益均匀性及稳定 性的因素  雪崩路径增长，在低气压或低工作电压下也能保持较高的电子倍增。 2018-4-26 2018年核探测与核电子学国家重点实验室年会 5 多层厚GEM简介：制作工艺 M-THGEM 的制作与普通单层THGEM基本一致，主要差别在于采用了PCB 多层板技术，将导电层和绝缘层交替压合，其工作原理也与级联结构类似。因此， 相对于其它类型新结构厚GEM，M-THGEM是比较被看好的思路，且增益、能量分辨 等容易保证。 PCB多层板技术+机械钻孔+rim腐蚀 2018-4-26 2018年核探测与核电子学国家重点实验室年会 6 M-THGEM研制 目前已研制了第一批次FR-4基材2-layer THGEM和3-layer THGEM 以及 PTFE基材的3层M-THGEM ，并为国内外