瓷封焊料工艺性对真空灭弧室封接质量影响.docVIP

瓷封焊料工艺性对真空灭弧室封接质量影响 　　[摘要]文中针对一次封排真空灭弧室在生产过程中出现的一次批量较大的慢漏气现象，介绍了借助电镜和俄歇能谱现代分析手段，对漏气的真空灭弧室封接截面处进行微观的形貌、成分、结构分析以及对使用不同的瓷封焊料的工艺性能、质量性能进行对比，从钎焊的工艺及金属凝固原理分析研究，得出了目前一次封排工艺中，陶瓷真空灭弧室封接截面的形貌分布特点，慢漏气灭弧室的特征及造成该次慢漏气的主要原因，以及瓷封焊料的工艺性能对灭弧室质量的影响。 　　[关键词]真空灭弧室；漏气；镀镍层；富银带；渗透；润湿 　　 　　1、问题的提出 　　 　　我公司在生产一次封排真空灭弧室时，曾出现过在加压罐中加压后批量慢漏气的现象。我们对出现的问题查找原因，对漏气的灭弧室进行检漏，对其陶瓷封接处进行电镜分析，对瓷封的焊料进行表面清洁分析。采取对一次封排炉进行彻底清洁及空烧再生处理，在工艺上调整一次封排工艺中的升温速率、保温时间、充氮温度，用不同批次及厂家的金属化瓷件、触头材料和不同形状的均压封接环进行工艺试验，但均未从根本上解决慢漏问题。在我们进一步对不同产地的金属化瓷件、陶瓷金属封接处进行形貌分析，优化工艺，甚至改进封接结构的同时，在生产过程中我们发现所使用的瓷封焊料有局部发脆及局部起层现象，经烧氢退火后有的出现气泡。在其它任何条件不变的情况下，使用不同厂家生产的焊料进行试验，经过批量投料试验，灭弧室的成品率明显上升，达95％以上。批量漏气问题得到了解决，生产恢复正常。 　　为了验证焊料的质量问题是造成此次产品漏气的主要原因，我们做了大量的分析工作，从陶瓷金属封接截面形貌的微观分析，对不同的瓷封焊料的工艺性能、质量性能进行对比，从钎焊的工艺及金属凝固原理分析研究，得出了目前在一次封排工艺中，陶瓷真空灭弧室封接截面的形貌分布特点，慢漏气灭弧室的特征及主要原因，以及瓷封焊料的工艺性能对灭弧室质量的影响。 　　 　　2、陶瓷金属封接截面的微观分析 　　 　　将国内外不同厂家生产的金属化瓷件与用国产焊料H1AguCu28加工的灭弧窒的封接处进行取样。用电镜分析了26个试样的封接处截面形貌及成分，通过比较分析研究，得到以下相关结果。 　　 　　2.1陶瓷金属封接截面的形貌分布 　　从电镜分析中，我们可以看出，陶瓷金属封接截面，从95瓷到焊缝中央有非常明显的几个区域，经过电镜能谱EDS分析鉴别，它们依次为95氧化铝瓷――金属化Mo-Mn层――富Ag带区――镍和银铜焊料混合区――银铜焊料区。 　　陶瓷金属化上的镀镍层不再以单独形式出现，且出现了富银带的现象。 　　 　　2.2陶瓷金属封接中金属化镍层消失 　　(1)镍层消失原因 　　众所周知，H1AgCu28是银铜焊料中最为普遍使用的一种共晶焊料。其熔流点温度为779℃，它能润湿镍、铜及其合金、不锈钢、可伐等多种金属材料。目前，陶瓷真空灭弧室所用瓷件的金属化镀镍层平均厚度仅为5μm左右。陶瓷真空灭弧室在一次封排中，当钎焊温度达到800℃以上时，呈液态状的H1AgCu28焊料能很好地润湿陶瓷金属化的镍层表面并相互作用，使镍层表面发生溶解。由于镀镍层不可能很致密，液态银铜焊料会不断向镍层内部进行扩散渗透，使它与银铜焊料共同组成为一个Ni-Ag-Cu多元体系的固溶体合金溶液。 　　(2)金属化钼层表面会形成冶金结合组织 　　当液态银铜焊料扩散到金属化Mo-Ni界面时，同样它也会与固态金属化Mo层表面发生相互作用，一方面会有少量钼溶解，另一方面液态银铜焊料又会在Mo层表面进行扩散，其中铜会优先沿着Mo层表面扩散开来。但银铜焊料对钼润湿性差，故这种扩散是有限的，并且难于向Mo层内部进行渗透。这样，固态金属化Mo层前沿区域内的溶液成分就变成一个由Mo-Ni-Cu-Ag组成的多元体系的合金溶液了。 　　根据金属凝固原理，凝固过程是在热力学和动力学条件共同作用下完成的。在降温冷凝结晶过程中，首先在固态金属化Mo层表面交界层开始成核，形成晶间结合或晶内结合的晶粒，而且最初结晶出来的合金成分由熔点较高的金属元素组成。从电镜能谱EDS分析可知，在Mo表层及其邻近区域内形成的合金成分均由Mo-Ni-Cu三种元素组成。它与Mo层间的界面结合是冶金结合，因而具有较高的结合强度和塑性。在应力作用下，不易沿结晶相的晶界产生裂纹。相反，如果金属化的镀镍层很厚(如平均厚度约17μm)，那么，在封接时镀镍层与液态银铜焊料相互作用后不可能完全溶解而消失，这时余下的镍层和金属化Mo之间的界面结合，基本上仍保留其原来的物理结合形式，显然其机械强度远低于冶金结合的强度。在相同应力作用下，有可能沿两界面问的晶界产生微裂纹。可见，镀镍层太厚，对于气密性而言，反而使其可靠程度降低。如果金属化的镀镍层太