添加B 2O 3对0.7CaTiO 3―0.3NdAlO 3陶瓷烧结及其介电性能影响.docVIP

添加B 2O 3对0.7CaTiO 3―0.3NdAlO 3陶瓷烧结及其介电性能影响 　　摘要：0.7CaTiO30.3NdAlO3（以下简称为CTNA30）是应用广泛但烧结温度较高的微波介质陶瓷.本文通过添加不同量的B2O3来降低CTNA30陶瓷的烧成温度，并用XRD，SEM和矢量网络仪分析等表征方法，确定了B2O3的添加量对CTNA30烧结温度、物相组成、微观结构和介电参数的影响.添加B2O3可以显著地促进CTNA30陶瓷体的烧结，其中添加2%B2O3的CTNA30陶瓷，烧结温度可降到1 300 ℃，介电常数εr为49.99，品质因数Qf为57862GHz，频率温度系数τf为5.39×10-6/℃. 　　关键词：CaTiO3NdAlO3；B2O3；介质陶瓷；介电性能；烧结 　　中图分类号：TQ174.756 文献标识码：A 　　陶瓷谐振器、滤波器和微波介质天线等是微波通讯领域中的关键元器件，高介电常数（εr），高品质因数（Qf）和接近于0的谐振频率温度系数（τf）的介质陶瓷是制备上述器件的关键材料[1-3].0.7CaTiO30.3NdAlO3（简称CTNA30）体系虽然实现了对谐振频率温度系数的调节，但因烧结温度（达1600 ℃左右）高，烧结温度范围较窄，影响了其广泛的应用. 　　添加玻璃或其它烧成助剂是常用的降低介质陶瓷的烧结温度及拓宽其烧成温度范围的方法.李斌[4]等人通过在Ba4Sm28/3Ti18O54介质陶瓷体系中添加Bi2O3， 可将其烧结温度降低至1260 ℃，而当Bi2O3的添加量为0.15%（质量分数，下同）时，可得到介电常数εr 约为81，频率温度系数τf为?21×10-6/ ℃的介质陶瓷；王茹玉[5]等人在ZnNb2O6陶瓷加入CuO和V2O5，当CuO和V2O5添加量都为0.25% 时，ZnNb2O6 陶瓷的烧成温度可降到1 025 ℃，所得样品的介电常εr = 35，频率温度系数τf =-44.41×10-6/ ℃；Ki Hyun Yoon[6]等人在（Ca0.275Sm0.4Li0.25）TiO3同时添加B2O3Li2O来降低烧成温度，当B2O3Li2O加入量为0.5%，体系的烧结温度就可降到1 200 ℃，εr达到98.7，Qf为5 930 GHz，τf=3.7×10-6/ ℃；陈文文[7]等人在CLNZ陶瓷中添加了2.5%B2O3，在1 000 ℃烧成的样品，就可获得εr=31.3，Qf=13 680 GHz，τf=8.7×10-6/ ℃介电性能. 　　本文通过在CTNA30添加B2O3，以期将其烧成温度降低到1 300 ℃以下，并保持较佳的介电性能，以拓宽其应用范围. 　　1实验 　　以分析纯CaCO3， TiO2， Al2O3和Nd2O3为原料，按0.7CaTiO30.3NdAlO3的化学计量比进行配料，以氧化锆球为球磨介质，将粉料在滚动球磨机上研磨8 h，球磨后的浆料烘干后在1 255 ℃预烧4 h.预烧产物经手工研磨后平均分成5份，分别添加0%， 0.5%， 1%， 2%， 4%B2O3，分别球磨6h后烘干，加入7%的PVA溶液造粒.造粒后的粉料过80目筛，最后将粉料干压成型，成型压力为150 MPa，成型尺寸为直径7.5 mm，高2.2～2.7 mm.成型坯体在600 ℃保温2 h排胶，然后在1 200 ℃～1 450 ℃下烧结4 h，最后以2 ℃/min的速率降温至1 000 ℃后随炉冷却. 　　所烧成的样品用排水法测定体积密度，用日本Rigaku 2500型X射线衍射仪分析物相，用FEI QUNTA 200环境扫描电子显微镜观察表面微观形貌，用HP8720B型网络分析仪测量在130 kHz～20 GHz频率范围内的介电性能，用HakkiColeman法在室温下测试介电常数值、频率值及Qf值，在-40～70 ℃温度范围内测量频率温度系数τf. 　　2结果与讨论 　　2.1体积密度 　　图1是未掺杂的CTNA30样品体积密度，εr，Qf以及τf随烧结温度的变化曲线.由于烧结温度在1 400 ℃以下的密度较低，因此，在测定性能时，选择了1 400～1 500 ℃范围内的样品进行性能测试.图中显示，未掺杂的CTNA30陶瓷最佳烧结温度为 　　从添加了几种B2O3的CTNA30样品来看，陶瓷的密度在1 300～1 350 ℃范围内可达到最大值（图2），与未添加B2O3的CTNA30陶瓷烧结温度相比，至少降低了100 ℃.B2O3的添加量高，到达最大密度的温度就会低些，B2O3添加量少些，到达最大密度的温度就会高些，这说明了B2O3对烧结具有很好的促进作用.这也说明，CTNA30属于液相烧成.液相的出现及其演化，从液相中新晶相的析出，最后到材料的显微结构形成，