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磁控溅射参数变化对铌膜超导特性影响 　　摘要：介绍了磁控溅射镀膜技术和参数变化对Nb膜表面形貌、内部应力、超导特性的影响。探讨了制备高质量铌膜所需的最佳溅射参数。 　　关键词：磁控溅射；铌膜；超导特性 　　作者简介：陶兰初（1989-），男，江西九江人，中国地质大学（北京）物理实验中心本科生；樊振军（1975-），女，山东临清人，中国地质大学（北京）物理实验中心，讲师。（北京#8194;100083） 　　基金项目：本文系中国地质大学（北京）大学生创新性实验项目计划重点项目资助的研究成果。 　　中图分类号：TG174.44#8195;#8195;#8195;#8195;#8195;文献标识码：A#8195;#8195;#8195;#8195;#8195;文章编号：1007-0079（2011）15-0179-02 　　 　　铌由于其高强度、耐腐蚀、稳定的低温室温热循环性能，被广泛应用于Nb-AlOx-Al-Nb隧道结等量子器件的制作，[1]在量子计算方面有重要应用。在多层薄膜微米尺寸量子器件的制备过程中，高质量的超导Nb膜的制备是成功制备量子隧道器件的关键一步。Nb膜的表面形貌、表面起伏将影响后续绝缘层的完整性和致密性，决定结区漏电流的大小，[2]Nb膜内部应力对隧道结的热稳定性、循环重复性产生影响。[3]超导特性将影响结区的临界电流密度、能隙大小等。 　　选择高效稳定的镀膜方式是成功制备高质量的薄膜器件的关键。迄今为止制备薄膜的方法很多，主要有热蒸发、电子束蒸发、脉冲激光沉积和磁控溅射等。同其他方法相比，磁控溅射具有轰击粒子能量高、制备的薄膜致密性和均匀性好、便于大面积成膜等优点，被广泛应用于薄膜制备。[4] 　　本文将详细讨论用磁控溅射方法生长的超导铌膜的特性以及溅射参数的变化对Nb膜表面形貌、内部应力和超导特性的影响，探索生长高质量、可用于隧道量子器件制作的Nb膜的最佳溅射条件。 　　一、磁控溅射的基本原理 　　溅射是一个在离子与物质表面原子碰撞过程中发生能量与动量转移、最终将物质表面原子激发出来的复杂过程。溅射过程中Ar 以几十电子伏以上的能量直接轰击材料表面，使其表面原子获得足够的能量以克服表面束缚能，同时以一定的能量进入??空室中并沉积到基片表面。受轰击的固体通常称为靶材，溅射出的物质都呈原子状态，也可能有原子团，常称为溅射原子。 　　磁控溅射是在靶表面附近增加一个磁场。电子由于受电场和磁场的作用做螺旋运动，大大提高了电子的寿命，增加了电离产额，从而放电区的电离度提高，即离子和电子的密度增加。放电区的有效电阻变小，电压下降。另外，放电区集中在靶表面，放电区中的离子密度高，所以入射到靶表面的离子密度大大提高，因而溅射产额大大增加。 　　根据磁控溅射的原理，它与其他方法相比具有如下优点。 　　（1）磁控溅射的使用范围很广。可制备成靶材的各种材料均可以此方法制备成薄膜材料，包括各种金属、半导体、铁磁材料、绝缘的氧化物、陶瓷、聚合物等物质。在适当的条件下，可采用共溅方式沉积所需组分的混合物薄膜，也可以在溅射的放电气氛中加入氧、氮或其他活性气体，可反应沉积形成。 　　（2）沉积高速性。在沉积大部分的金属薄膜，溅射沉积速度可以和蒸发法相媲美，在沉积高熔点的金属和化合物薄膜时，磁控溅射方法显示出其独特的优势。 　　（3）易于操作。在镀膜过程中，只要保持工作压强和溅射功率相对稳定，就可获得比较稳定的溅射速率。因此，在镀膜时不需要复杂的膜厚测试和控制仪器，只需控制溅射时间，就可获得任意厚度的薄膜。 　　（4）基板温度低。利用磁控技术，当溅射产生的二次电子在阴极位降区内被加速为高能电子后，并不直接飞向阳极，而是在电磁场作用下做来回振荡的近似摆线的运动。高能电子不断与气体分子发生碰撞并向后者转移能量，使之电离而本身变成低能电子。这些低能电子最终沿磁力线漂移到阴极附近的辅助阳极而被吸收，避免了高能电子对基板的强烈轰击，可以在常温基板上生长高质量的薄膜。 　　二、溅射参数变化对Nb膜性能的影响 　　由于磁控溅射技术操作简单，易于产业化应用，同时在超导量子器件制备中对高质量Nb膜的大规模需求，因此人们开展了应用磁控溅射技术生长制备Nb基器件的研究，探讨了磁控溅射超导铌膜所需的溅射条件和影响铌膜性能的主要溅射参数。这主要包含以下几个方面。 　　（1）溅射方式的影响。磁控溅射薄膜常用的有两种方式：直流（dc）溅射和射频（RF）溅射两种。直流磁控溅射的特点是在阳极基片和阴极靶之间加一个直流电压，阳离子在电场的作用下轰击靶材，它的溅射速率一般都比较大。射频溅射是指在靶上加一个交变电压，当工作在负电压阶段时，靶被溅射；工作在正电压阶段时，中和靶面积累正电荷。以往的研究发现，在同样的溅射参数下（如Ar气压强，溅射