半桥式开关变流器传导干扰的仿真分析与抑制方法研究-电力电子与电力传动专业论文.docxVIP

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半桥式开关变流器传导干扰的仿真分析与抑制方法研究-电力电子与电力传动专业论文

兰州 兰州交通大学硕士学位论文 半桥 半桥式开关变流器传导干扰的仿真分析与抑制方法研究 万方数据 万方数据 万方数据 万方数据 摘 要 开关电源应用广泛,但高频开关电源会产生较大瞬变电压、电流,形成传导干扰。 为实现对传导干扰的抑制,根据电磁理论、电路原理,需对传导干扰的产生机理、传播 路径进行分析。为了提高干扰抑制能力,需对影响传导干扰抑制效果的因素进行分析。 本文通过半桥式开关变流器和 EMI(Electromagnetic Interference,电磁干扰)滤波器对传导 干扰耦合路径、EMI 滤波器设计和寄生参数消除进行研究。 为了研究无源元件在高频情况下的性能,通过分析元件结构和高频寄生参数产生机 理,结合电路原理对电感、电容、电阻、导线等元件的高频特性进行了研究。通过对无 源元件数学模型的分析,论述了元件在传导干扰抑制中的选择和应用,据此分析了无源 元件在传导干扰产生、传播、抑制中的作用和影响。 分析了半桥式开关变流器的工作原理,论述了各部分元器件在传导干扰抑制方面的 作用。通过分析传导干扰产生机理,确定了传导干扰源。依据传导干扰的基本耦合路径, 在综合考虑各无源元件寄生参数的前提下,确定传导干扰主要影响因素,对主电路进行 简化。对不能完全解耦的传导干扰进行分析,确定混合模式干扰、本质差模干扰、共模 干扰耦合路径。干扰源和耦合路径的确定利于实现对传导干扰的准确抑制。 对 EMI 滤波器性能参数进行了分析,为便于分析干扰源、负载阻抗对插入损耗的 影响,通过二端口网络 T 参数对插入损耗进行了表达。为减小干扰源阻抗对滤波器性能 的影响,通过分析源阻抗对插入损耗的影响,按照干扰值测量、衰减量计算、拓扑结构 选择、转折频率确定、滤波元件选择的步骤,对忽视干扰源阻抗和考虑干扰源阻抗两种 情况下的 EMI 滤波器进行了设计,满足了不同情况下滤波器在传导干扰抑制中的要求。 由于无源元件寄生参数的影响,EMI 滤波器滤波效果达不到预期要求。为了分析自 有寄生参数、互有寄生参数对共模滤波器、差模滤波器插入损耗的影响,通过电磁理论 和电路原理分析了各种寄生参数对滤波器性能造成影响的机理,并通过 PSpice(Personal Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis,个人集成电路专用模拟程序)验证了 寄生参数消除后 EMI 滤波器性能的提高。设计电路消除了寄生参数,并从二次寄生参 数的角度分析了附加电路可能存在的影响。电路分析结果表明:合理的电路设计,可消 除寄生参数影响、避免冗余设计,实现 EMI 滤波器性价比、集成度的提高。 关键词:传导干扰;耦合路径;EMI 滤波器;寄生参数;插入损耗 论文类型:应用基础研究 I - Abstract Switching power supply is applied widely, but the high-frequency switching power supply results in large transient voltage, current. The voltage and current form conducted interference. The mechanism and propagation path of conducted interference are analyzed according to electromagnetic and circuit theory in order to suppress it. To improve the performance of suppressing conducted interference, all factors about interference suppression are required to be analyzed. The dissertation analyzes conducted interference coupling path, EMI filter design and the elimination of parasitic parameters through half-bridge switching converter and electromagnetic interference (EMI) filters. In order to study the performance of high-frequency passive components , the cell structure and mechanism of parasitic parameters are studied

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