使用Sentaurus TCAD软件设计与仿真0.18μmH栅PWell SOI MOSFET器件.docVIP

使用Sentaurus TCAD软件设计与仿真0.18μmH栅PWell SOI MOSFET器件 　　【摘要】绝缘体上硅（Silicon On Insulator，简称SOI）以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足，使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。本文使用Sentaurus TCAD软件中的SDE（Sentaurus Structure Editor）工具设计一个0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件结构，并且运用Sentaurus TCAD软件中的Sentaurus Device工具进行器件特性仿真，使用INSPECT和TECPLOT_SV工具查看仿真结果并得到设计的器件的阈值电压（Vth=1.104V）和饱和电流（Idsat=3.121E-4A）。 　　【关键词】SOI；P-Well MOSFET；H栅；Sentaurus TCAD 　　1.引言 　　近年来全球范围内出现了新一轮的太空探索热潮，世界各主要航天大国相继出台了一系列雄心勃勃的航天发展规划。空间技术的迅猛发展，使各种电子设备已经广泛应用于人造卫星、宇宙飞船等设备中，在天然空间辐射环境中往往因经受空间辐射而导致性能降低或失灵，甚至最终导致卫星或空间飞行器灾难性后果。因此，必须在辐照恶劣环境中的电子设备使用抗辐射的电子元器件。 　　绝缘体上硅与体硅器件相比较，其独特的绝缘层把器件和衬底隔开，减轻了衬底对器件的影响，降低了源漏极电容、消除了闩锁效应、改善了短沟道效应以及热载流子效应、提高了抗辐照性能等等[1]，因此，SOI技术能够成功地应用于抗辐射领域，其被国际上公认为“二十一世纪的硅集成电路技术”。SOI与体硅MOS器件结构的比较如图1所示。 　　图1 体硅器件和SOI器件基本结构的比较 　　通常根据在绝缘体上的硅膜厚度将SOI分成薄膜全耗尽FD（Fully Depleted）结构和厚膜部分耗尽PD（Partially Depleted）结构。本论文中设计的SOI MOS器件是薄膜全耗尽结构的，这是因为薄膜SOI结构的器件由于硅膜的全部耗尽完全消除“翘曲效应”[2]，且这类器件具有低电场、高跨导、良好的短沟道特性和接近理想的亚阈值斜率等优点。因此薄膜全耗尽FDSOI应该是非常有前景的SOI结构。 　　因此，对SOI MOS器件进行研究具有十分重要的意义。本论文将设计一个0.18μmH栅P-Well SOI MOS器件并对该器件进行电学特性仿真，通过仿真获取阈值电压和饱和电流这两个重要参数。 　　2.设计0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET 　　整个设计流程为：首先，使用Sentaurus Structure Editor工具编辑器件的基本结构和设定注入粒子的类型和剂量；然后，在使用Sentaurus Structure Editor工具中的网格生成工具Mesh设置器件的网格参数；最后使用Sentaurus Device工具仿真器件的电学特性并测试。在这一部分，我将通过上述流程来设计一个0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件。 　　对于器件结构的设计，器件结构的X和Y轴范围分别为[-0.3，0.3]和[-0.3，0.3]，Z轴的范围为下面过程中设置的厚度的总和。首先，画一层0.2μm厚度的硅衬底，硅衬底上画一层0.15μm厚度的绝缘氧化层，再在绝缘氧化层上画一层0.1μm厚的硅层（即顶硅层）；然后，在顶硅上放置一层0.005μm厚度的氧化层，氧化层上放置一层宽度为0.18μm，厚度为0.04μm的多晶硅栅层；最后，在栅的周围放置侧墙并定义接触点[3]。 　　经过上述过程，器件的基本结构已经完成。下面，往顶硅中注入剂量为1E+11cm-3的硼粒子来形成P-Well。在对源漏极进行注入粒子之前，需要先定义粒子注入的窗口，然后，设置注入粒子类型、峰值剂量、峰值位置和扩散长度。源漏极注入粒子参数如表1所示。 　　表1 源漏极注入粒子类型和参数 　　粒子类型 Arsenic 　　峰值剂量 1.02E+15cm-3 　　峰值位置 -0.1μm 　　扩散长度 0.05μm 　　器件的结构和掺杂粒子的一些参数已经设置好，现在需要做的工作就是设置网格，这里设置了三个部分的网格，全局网格、顶硅层部分的网格和沟道处的网格。设置沟道处网格是因为仿真器件的电学特性时，粒子的传输主要是在沟道处，在沟道处设置合理的网格不仅会提高仿真精度，也能优化仿真速度。 　　设置完网格后，就可以通过生成网格把器件结构，掺杂信息，网格信息集成到一个网格文件中，进行器件电学特性仿真时需要用到这个文件。 　　器件的电学特性仿真，可以理解为半导体器件（比如，晶体管或则二极管）电学特性的虚拟测试。器件被看作为有限网格点构成的