化学清洗课件.pptVIP

* 化学清洗 目前因抛光后表面清洗不干净引起的电子器件产品合格率降低，占次品率的50%左右，清洗质量的高低已严重影响到先进电子产品的性能、可靠性与稳定性。工艺中Si片表面吸附的微粒、有机和无机粘污会破坏极薄氧化层的完整性，导致微结构缺陷，引起低击穿、管道击穿、软击穿、漏电流增加以及芯片短路等问题。 清洗是利用物理、化学或机械作用的方法使吸附在表面的污染物解吸而离开物体表面的过程。 化学方法则是利用清洗剂和污染物进行化学作用，使大分子污染物生成可溶于清洗剂的小分子物质而脱离基体表面或破坏污染物与基体表面之间的键合作用而使之脱离 。 在超光滑表面的清洗中，不同工件、不同工序对表面清洁度的要求不同，必须针对不同的对象及目的采取不同的清洗方法，以满足工艺对清洁度的要求。目前超光滑表面清洗技术总体上可分为湿法和干法清洗。湿法清洗一直是晶片清洗技术的主流。它是利用溶剂、各种酸碱、表面活性剂和水的混合物通过腐蚀、溶解等化学反应，结合一定的机械作用以去除晶片表面的沾污物。 一、硅片表面沾污杂质的来源和分类 在硅片加工及器件制造过程中，所有与硅片接触的外部媒介都是硅片沾污杂质的可能来源。这主要包括以下几方面：硅片加工成型过程中的污染，环境污染，水造成的污染，试剂带来的污染，工业气体造成的污染，工艺本身造成的污染，人体造成的污染等。尽管硅片沾污杂质的来源不同，但它们通常可划分为几类，如表1所示。 表1　硅片表面沾污杂质的分类 分类依据 沾污类别 沾污杂质的形态 微粒型污染质、膜层污染质 吸附力的性质 物理吸附型杂质、化学吸附型杂质 被吸附物质的存在形态 分子型、原子型、离子型吸附杂质 物化性质 有机沾污、无机盐、金属离子(原子)和机械微粒等 二、硅片清洗的一般程序 吸附在硅片表面上的杂质可分为分子型、离子型和原子型三种情况。其中分子型杂质与硅片表面之间的吸附力较弱，清除这类杂质粒子比较容易。它们多属油脂类杂质，具有疏水性的特点，对于清除离子型和原子型杂质具有掩蔽作用。因此在对硅片进行化学清洗时，首先应该把它们清除干净。 离子型和原子型吸附的杂质属于化学吸附杂质，其吸附力都较强。在一般情况下，原子型吸附杂质的量较小，因此在化学清洗时，先清除掉离子型吸附杂质，然后再清除残存的离子型杂质及原子型杂质。最后用高纯去离子水将硅片冲冼干净，再加温烘干或甩干就可得到洁净表面的硅片。 综上所述，清洗硅片的一般工艺程序为：去分子→去离子→去原子→去离子水冲洗。 另外，为去除硅片表面的氧化层，常要增加一个稀氢氟酸浸泡步骤。 1、常用化学试剂、洗液的性质 硅片清洗中常用的化学试剂和洗液主要有无机酸、氧化剂、络合剂、双氧水洗液、有机溶剂、合成洗涤剂、电子清洗剂等几大类，它们在化学清洗中的主要作用或化学性质如表2。 表2　常用试剂、洗液的性质(或作用) 类别 常用试剂或洗液 性质或作用 无机酸 盐酸、硫酸、硝酸、氢氟酸以及王水等 酸性、腐蚀性等 氧化剂 硝酸、浓硫酸、重铬酸钾、双氧水等 氧化还原作用 络合剂 盐酸、氢氟酸、氟化铵、氨水等 络合作用，有利于去除金属杂质 双氧水洗液 1号液、2号液、3号液 强氧化性，可去无机及有机沾污 有机溶剂 三氯甲烷、三氯乙稀、甲苯、乙醇、丙酮等 相似相溶原理，去除有机沾污 合成洗涤剂 主要成分为表面活性剂，如洗涤剂6053等 表面活性剂乳化作用 电子清洗剂 DZ21、DZ22、DZ23、DZ24、DZ25电子清洗剂 分别可去除各类沾污 2、溶液浸泡法 溶液浸泡法就是通过将要清除的硅片放入溶液中浸泡来达到清除表面污染目的的一种方法，它是湿法化学清洗中最简单也是最常用的一种方法。它主要是通过溶液与硅片表面的污染杂质在浸泡过程中发生化学反应及溶解作用来达到清除硅片表面污染杂质的目的。 3、机械擦洗法 当硅片表面沾有微粒或有机残渣时常用擦片的方法清洗。机械擦洗法一般可分为手工擦洗和擦片机擦洗两种方法。 手工擦洗是最简单的一种擦洗方法，一般用不锈钢镊子夹取浸有甲苯、丙酮、无水乙醇等有机溶剂的棉球，在硅片表面沿同一方向轻擦，以去除蜡膜、灰尘、残胶或其它固体颗粒。但此法易造成划伤，污染严重。 用于擦洗的擦片机又可分为纯机械性擦刷的擦片机和高压擦片机等。纯机械性擦刷的擦片机利用机械旋转，使软羊毛刷或刷辊擦刷硅片表面。该法较手工擦洗造成的硅片划伤大大减轻。而高压擦片机由于无机械磨擦，则不会划伤硅片表面，而且可以达到清除槽痕里的沾污。擦片机擦洗是硅片擦洗的趋势。 4、超声波清洗技术 超声波清洗是半导体工业中广泛应用的一种清洗方法，该方法的优点是：清洗效果好，操作简单，对于复杂的器件和容器也能清除，但该法也具有噪音较大、换能器易坏的缺点